PEP创新私人有限公司H.S.赵获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉PEP创新私人有限公司申请的专利具有缓冲层的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021470.4，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权具有缓冲层的半导体器件是由H.S.赵;S.K.穆尼拉提南设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有缓冲层的半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种晶圆级缓冲层。所述晶圆级缓冲层被配置为防止在晶圆切割过程中后段BEOL电介质产生碎裂。晶圆级缓冲层是一种具有减振剂的复合晶圆级缓冲层。所述减振剂包括具有填料的聚合物基底层。所述阻尼剂在切割过程中吸收或抑制锯条的振动，用于防止后段BEOL电介质产生碎裂。
本发明授权具有缓冲层的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 一晶粒，具有活性面和非活性面，其中所述活性面包括在后段BEOL电介质上的晶粒垫； 一缓冲层，设置在所述晶粒的活性面上，其中所述缓冲层包括减振组合物，用于防止所述后段BEOL电介质在晶圆切割过程中产生破裂； 多个通孔开口，位于所述缓冲层中，用于暴露所述晶粒垫；以及 多个通孔触点，设置在所述通孔开口上，用于提供至所述晶粒垫的电连接， 其中所述缓冲层的杨氏模量为10,000-25,000Mpa，所述缓冲层的断裂强度为50-150Mpa， 所述缓冲层包括一复合缓冲层，所述复合缓冲层进一步包括：一基底缓冲层；以及设置在所述基底缓冲层内的填料， 所述填料的尺寸范围为0.5微米至所述晶圆切割过程中使用的锯条宽度的13。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人PEP创新私人有限公司，其通讯地址为：新加坡新加坡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号