华邦电子股份有限公司白田理一郎获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利与非型闪速存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111041855.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权与非型闪速存储器及其制造方法是由白田理一郎设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本与非型闪速存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可防止沿垂直方向延伸的栅极间的短路的与非型闪速存储器及其制造方法。本发明的与非型闪速存储器包括：基板；多个通道堆叠，形成在基板上，沿X方向延伸；绝缘层，形成在通道堆叠之间；多个沟，以沿Y方向排列的方式，在绝缘层内分离来形成；包含电荷蓄积层的绝缘体堆叠，以覆盖各沟的侧壁的方式形成；以及多个导电性的垂直栅极，在各沟内的由绝缘体堆叠所形成的空间内沿垂直方向延长、且沿Y方向延伸。
本发明授权与非型闪速存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种与非型闪速存储器的制造方法，其特征在于，包括： 在基板上形成交替地层叠有第一绝缘层与通道层的多个通道堆叠的步骤，所述步骤中，所述通道堆叠具有第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面，第一侧面及第二侧面沿第一方向延伸； 在所述多个通道堆叠各自的第一侧面与第二侧面之间形成第二绝缘层的步骤； 在所述第二绝缘层的第一方向上以固定的间距形成多个沟的步骤； 以至少覆盖各沟的内壁的方式，形成包含电荷蓄积层的绝缘体的步骤，所述绝缘体覆盖所述通道堆叠的上表面及所述第二绝缘层的上表面；以及 以填充与所述第一方向正交的第二方向的各沟内的空间的方式，形成沿所述第二方向延伸的多个栅极的步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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