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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111129720.4，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法是由唐红梅;邹威;王毅设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法在说明书摘要公布了：一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法。涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法。本发明使用29%氨水进行Poly（多晶硅）去除，取代原有硅腐蚀液（HNO3+HF+HAc+H2O）进行Poly层去除，氨水去除Poly层的同时不腐蚀SiO2，返工风险极低，有很好的去除Poly层，保留SiO2的效果。本发明具有不腐蚀SiO2，降低返工风险，提高多晶硅层去除质量等特点。

本发明授权一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法在权利要求书中公布了：1.一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、测量待返工器件的多晶硅层厚度，测得厚度值为T1； S2、根据多晶硅腐蚀速率，计算多晶硅层腐蚀时间，所述多晶硅层腐蚀时间t1=T1*1.3多晶硅腐蚀速率； 腐蚀速率有一定的波动，在计算出的腐蚀时间后，再加腐蚀30%，保证未腐蚀干净的区域全部腐蚀干净，所以本案中过腐蚀量取值为1.3； 步骤S2中所述多晶硅腐蚀速度测算包括以下步骤： S2.1、选取一片多晶硅监控片； S2.2、用膜厚仪测试步骤S2.1中多晶硅监控片的实际厚度值为A； S2.3、将测量后的多晶硅监控片放入29%氨水容器槽中腐蚀1min； S2.4、冲水甩干，用膜厚仪测试其厚度值为B； S2.5、通过公式ER=（A-B）1min计算出腐蚀速率； S3、多晶硅层腐蚀 将步骤S1中已测量多晶硅层厚度的器件放入盛有29%氨水的容器槽内，反应t1时间后，取出，对器件表面残余酸液进行清洗； S4、对栅氧层的厚度进行测量，测得的厚度为T2； S5、计算栅氧层腐蚀时间；栅氧层腐蚀时间t2=T2SiO2腐蚀速率； 步骤S5中所述SiO2腐蚀速率计算方法为： S5.1、取一片SiO2监控片，用膜厚测试仪测其厚度值为A1； S5.2、放置到20:1的BOE腐蚀液中腐蚀3min，冲水甩干，用膜厚测试仪测其厚度值为B1； S5.3、通过计算，SiO2腐蚀速率=（A1-B1）3min，获得SiO2腐蚀速率数值； S6、将器件放入20:1的BOE腐蚀液中，腐蚀时间为t2，去除剩余栅氧层。

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