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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种使用辅助绕组产生的负压驱动SIC MOSFET的系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113922797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111153060.3，技术领域涉及：H03K17/14；该发明授权一种使用辅助绕组产生的负压驱动SIC MOSFET的系统是由王晓飞;刘型志;蔡滨宇;田娟;郑可;王蕊设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用辅助绕组产生的负压驱动SIC MOSFET的系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种使用辅助绕组产生的负压驱动SICMOSFET的系统，包括辅助绕组、第一二极管、第一电阻、第一电容及驱动芯片，其中，辅助绕组的一端接地，辅助绕组的另一端与第一二极管的负极相连接，第一二极管的正极与第一电阻的一端相连接，第一电阻的另一端与驱动芯片的VDD‑引脚及第一电容的负极相连接，第一电容的正极接地，驱动芯片的GATE引脚与SICMOSFET管的栅极相连接，该系统中驱动芯片能够提供稳定可靠的负压。

本发明授权一种使用辅助绕组产生的负压驱动SIC MOSFET的系统在权利要求书中公布了：1.一种使用辅助绕组产生的负压驱动SICMOSFET的系统，其特征在于，包括辅助绕组、第一二极管D1、第一电阻R1、第一电容C1及驱动芯片，其中，辅助绕组的一端接地，辅助绕组的另一端与第一二极管D1的负极相连接，第一二极管D1的正极与第一电阻R1的一端相连接，第一电阻R1的另一端与驱动芯片的VDD-引脚及第一电容C1的负极相连接，第一电容C1的正极接地，驱动芯片的GATE引脚与SICMOSFET管的栅极相连接； 还包括交流电源、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第二电阻R2、第二电容C2的负极接地，第二二极管D2的正极、第四二极管D4的正极、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4及变压器； 交流电源的一端与第二二极管D2的正极及第三二极管D3的负极相连接，交流电源的另一端与第四二极管D4的正极及第五二极管D5的负极相连接，第三二极管D3的正极、第五二极管D5的正极及第二电容C2的负极接地，第二二极管D2的正极、第四二极管D4的正极、第二电容C2的正极、第二电阻R2的一端及变压器中原边绕组的一端相连接，驱动芯片的VDD+引脚与第三电容C3的正极、第六二极管D6的负极及第二电阻R2的另一端相连接，第六二极管D6的正极与第一二极管D1的负极相连接，变压器中原边绕组的另一端与SICMOSFET管的漏极相连接，SICMOSFET管的源极及驱动芯片的GND引脚均接地，变压器中副边绕组的一端经第七二极管D7及第四电容C4与变压器中副边绕组的另一端相连接，第三电容C3的负极接地。

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