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华中科技大学段国韬获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114014257B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111240173.7,技术领域涉及:B81B7/02;该发明授权一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用是由段国韬;张征;张彦林;吕国梁设计研发完成,并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用,包括:S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料,得到悬臂支撑层;S2、在悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极;S3、在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层;S4、在绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极;S5、在测试电极表面晶圆级沉积粘结层;S6、在粘结层表面整体制备气敏薄膜;S7、在腐蚀窗口处通入腐蚀液,对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀后,得到气体传感器晶圆;S8、对气体传感器晶圆进行划片处理,得到硅基MEMS气体传感器芯片;其中,粘结层与气敏薄膜的材料相同。本发明所得的气体传感器芯片兼具高稳定和高灵敏等优良气敏性能,实现了硅基气体敏感薄膜的兼容制造。

本发明授权一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料,形成覆盖于硅晶圆基片之上的悬臂支撑层; S2、在所述悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极; S3、在所述加热电极表面晶圆级沉积绝缘层,使所述绝缘层覆盖所述悬臂支撑层和所述加热电极; S4、在所述绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极;所述腐蚀窗口位于所述加热电极的四周,并贯穿所述绝缘层和所述悬臂支撑层;所述测试电极位于所述加热电极的正上方; S5、在所述测试电极表面晶圆级沉积粘结层; S6、在所述粘结层表面光刻整体制备气敏薄膜; S7、在所述腐蚀窗口处通入腐蚀液,对所述气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀,使得所述气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片完全腐蚀,从而释放悬臂,得到气体传感器晶圆; S8、对所述气体传感器晶圆进行划片处理,得到硅基MEMS气体传感器芯片,从而实现在一个硅晶圆基片上同时制备多个硅基MEMS气体传感器芯片; 其中,所述粘结层的材料与所述气敏薄膜的材料相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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