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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114014257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111240173.7，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用是由段国韬;张征;张彦林;吕国梁设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用，包括：S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料，得到悬臂支撑层；S2、在悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极；S3、在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层；S4、在绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极；S5、在测试电极表面晶圆级沉积粘结层；S6、在粘结层表面整体制备气敏薄膜；S7、在腐蚀窗口处通入腐蚀液，对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀后，得到气体传感器晶圆；S8、对气体传感器晶圆进行划片处理，得到硅基MEMS气体传感器芯片；其中，粘结层与气敏薄膜的材料相同。本发明所得的气体传感器芯片兼具高稳定和高灵敏等优良气敏性能，实现了硅基气体敏感薄膜的兼容制造。

本发明授权一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料，形成覆盖于硅晶圆基片之上的悬臂支撑层； S2、在所述悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极； S3、在所述加热电极表面晶圆级沉积绝缘层，使所述绝缘层覆盖所述悬臂支撑层和所述加热电极； S4、在所述绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极；所述腐蚀窗口位于所述加热电极的四周，并贯穿所述绝缘层和所述悬臂支撑层；所述测试电极位于所述加热电极的正上方； S5、在所述测试电极表面晶圆级沉积粘结层； S6、在所述粘结层表面光刻整体制备气敏薄膜； S7、在所述腐蚀窗口处通入腐蚀液，对所述气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀，使得所述气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片完全腐蚀，从而释放悬臂，得到气体传感器晶圆； S8、对所述气体传感器晶圆进行划片处理，得到硅基MEMS气体传感器芯片，从而实现在一个硅晶圆基片上同时制备多个硅基MEMS气体传感器芯片； 其中，所述粘结层的材料与所述气敏薄膜的材料相同。

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