格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司吴楠获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司申请的专利共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管与防缺陷结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111305331.2，技术领域涉及：H10D87/00；该发明授权共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管与防缺陷结构是由吴楠设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管与防缺陷结构在说明书摘要公布了：本发明涉及共集成的高压HV和中压MV场效应晶体管与防缺陷结构。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及共集成的高压和中压器件与防缺陷结构以及制造方法。该结构包括：集成在单个衬底中的绝缘体上半导体SOI区域和体区域；位于体区域中的至少一个有源器件；位于SOI区域中的至少一个有源器件；以及位于SOI区域的边界处的防缺陷结构。
本发明授权共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管与防缺陷结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 集成在单个衬底中的绝缘体上半导体SOI区域和体区域； 位于所述体区域中的至少一个有源器件； 位于所述SOI区域中的至少一个有源器件；以及 位于所述SOI区域的边界处且至少位于所述SOI区域和所述体区域之间的防缺陷结构， 其中所述防缺陷结构包括在浅沟槽隔离结构内延伸的体半导体材料。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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