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杭州福斯特电子材料有限公司朱薛妍获国家专利权

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龙图腾网获悉杭州福斯特电子材料有限公司申请的专利一种干膜抗蚀剂层压体、树脂组合物及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114114842B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111410315.X,技术领域涉及:G03F7/09;该发明授权一种干膜抗蚀剂层压体、树脂组合物及其制备方法是由朱薛妍;黄磊;李伟杰;鲍亚童;张浙南设计研发完成,并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种干膜抗蚀剂层压体、树脂组合物及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法,所述层压体包括支撑层、支撑层上方的抗蚀剂层和抗蚀剂层上方的保护层,所述抗蚀剂层具有朝向所述保护层的第一面以及与所述第一面相对的第二面;所述抗蚀剂层为预交联抗蚀剂层,所述第一面的预交联度小于所述第二面的预交联度。本发明所述的干膜抗蚀剂层压体兼具良好的追随性和储存性,在层压过程中能够充分地填补基板上的凹坑,同时能够在一定程度上防止溢胶,提高储存稳定性;所述的干膜抗蚀剂层压体可应用于印刷电路板、引线框架、太阳能电池、导体封装、BGA(BallGridArray)封装、CSP(ChipSizePackage)封装等领域,具有良好的应用前景。

本发明授权一种干膜抗蚀剂层压体、树脂组合物及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种干膜抗蚀剂层压体,其特征在于,所述层压体包括抗蚀剂层、位于抗蚀剂层一侧的支撑层和位于抗蚀剂层另一侧的保护层,所述抗蚀剂层具有朝向所述保护层的第一面以及与所述第一面相对的第二面;所述抗蚀剂层为预交联抗蚀剂层,所述第一面的预交联度小于所述第二面的预交联度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人杭州福斯特电子材料有限公司,其通讯地址为:311300 浙江省杭州市临安市锦北街道福斯特街8号1幢212;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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