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龙图腾网获悉西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院申请的专利一种基于自举电容实现的高线性度的宽带输入缓冲器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114679171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111481474.9，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种基于自举电容实现的高线性度的宽带输入缓冲器是由刘术彬;安泽帅;韩昊霖;丁瑞雪;朱樟明设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于自举电容实现的高线性度的宽带输入缓冲器在说明书摘要公布了：本发明提供的一种基于自举电容的宽带高线性度输入信号缓冲器，采用抽取电容C3技术、基于自举电容C1和交流浮空电阻R技术的输入管M2，低输出阻抗共源共栅结构组成，采用抽取电容技术的电容C3可以补偿高频大幅度正向输入时输入信号缓冲器的摆率，达到改善线性度的目的；同时低输出阻抗共源共栅结构可以降低输入缓冲器的输出阻抗，基于自举电容和交流浮空电阻技术保证了输入管的漏源电压恒定，消除了沟长调制效应，从而可以提升数模转化器ADC的整体性能。

本发明授权一种基于自举电容实现的高线性度的宽带输入缓冲器在权利要求书中公布了：1.一种基于自举电容实现的高线性度的宽带输入缓冲器，其特征在于，包括： 开关Φs、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3以及第四电容CL、电阻R1、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5以及第六MOS管M6； 电源高电压VDDH分别连接电阻R1的一端以及第一MOS管M1的漏极，所述电阻R1的另一端连接第一电容C1的负端以及第一MOS管M1的栅极；所述第一电容C1的正端与第二电容C2的正端、第三电容C3的正端以及连二MOS管M2的栅极连接，并接入正弦输入电压VIN；所述第二电容C2的负端连接第一MOS管M1的源极以及第二MOS管M2的漏极；所述第三电容C3的负端连接第三MOS管M3的栅极、第五MOS管M5的源极以及第六MOS管M6的漏极；所述第五MOS管M5的漏极连接第二MOS管M2的源极以及开关Φs的一端，开关Φs的另一端连接第四电容CL的正端，第四电容CL的负端连接电源地；所述第五MOS管M5的栅极连接第三MOS管M3的漏极以及第四MOS管M4的漏极；所述第六MOS管M6的栅极接入第一输入电压VBN1；第三MOS管M3的源极连接电源低电压VDDL；所述第四MOS管M4的栅极接入第二输入电压VBN2；所述第四MOS管M4的源极与所述第六MOS管M6的源极以及电源地相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院，其通讯地址为：401332 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。