三菱电机株式会社小西和也获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111505801.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由小西和也;曾根田真也;新田哲也;古川彰彦设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够实现适当的沟道区域的技术。半导体装置具有：第一接触层，其与第一沟槽接触部的下部连接；以及第二接触层，其与第二沟槽接触部的下部连接。在俯视观察时，第一沟槽的第一侧部与第一沟槽接触部之间的距离比第一沟槽的第二侧部与第二沟槽接触部之间的距离大，在剖视观察时，第一接触层与第一侧部分离，第二接触层与第二侧部连接。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体衬底，其设置有发射极电极及栅极电极； 第一导电型的基极层，其配置于所述半导体衬底的上表面侧； 第二导电型的源极层，其配置于所述基极层的所述上表面侧； 有源部，其配置于将所述基极层及所述源极层贯通的第一沟槽的内表面即绝缘膜之上，与所述栅极电极连接； 第一沟槽接触部及第二沟槽接触部，它们分别与俯视观察时的所述第一沟槽的第一侧部及第二侧部相对地配置，在所述第一沟槽接触部及第二沟槽接触部的内部配置有所述发射极电极； 第一导电型的第一接触层，其与所述第一沟槽接触部的下部连接，与所述基极层相比第一导电型的杂质的浓度高； 第一导电型的第二接触层，其与所述第二沟槽接触部的下部连接，与所述基极层相比第一导电型的杂质的浓度高；以及 集电极电极，其配置于所述半导体衬底的下表面， 在俯视观察时，所述第一侧部与所述第一沟槽接触部之间的距离比所述第二侧部与所述第二沟槽接触部之间的距离大， 在剖视观察时，所述第一接触层与所述第一侧部分离，所述第二接触层与所述第二侧部连接， 在俯视观察时，所述第一沟槽的所述第一侧部处的外轮廓线具有大于或等于1个凹形状及凸形状中的至少一者。
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