上海智药科技有限公司刘聪聪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海智药科技有限公司申请的专利晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111501120.6，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置是由刘聪聪;金颖滴设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置，该方法包括：将同一物质的第一晶体结构和第二晶体结构转换至目标空间群；在所述目标晶体空间群下，获取所述第一晶体结构中所有分子和所述第二晶体结构中所有分子之间的至少一种匹配关系；确定至少一种所述匹配关系下的所述第一晶体结构和所述第二晶体结构之间的低能路径；将所述低能路径确定为第一晶体结构与第二晶体结构之间的转晶路径。通过上述方式，本申请能够实现晶体转晶路径的高效搜索，提高判断有机化合物不同晶型之间能否发生相变的效率。
本发明授权晶体转晶路径的搜索方法、转晶判断方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体转晶路径的搜索方法，其特征在于，包括： 将同一物质的第一晶体结构和第二晶体结构转换至目标晶体空间群；其中，所述目标晶体空间群包括P1空间群； 在所述目标晶体空间群下，获取所述第一晶体结构中所有分子和所述第二晶体结构中所有分子之间的至少一种匹配关系；其中，所述匹配关系基于所述第二晶体结构和利用旋转平移矩阵变换后的第一晶体结构确定，所述旋转平移矩阵基于所述第一晶体结构中的第一主分子和所述第二晶体结构中与所述第一主分子匹配的第二主分子确定；相互匹配的两个分子间线性插值路径上，任意两个原子之间的距离大于第一预设阈值； 确定至少一种所述匹配关系下的所述第一晶体结构和所述第二晶体结构之间的低能路径；其中，所述低能路径基于沿晶格矢量平移后的第一晶体结构中的所有分子与所述第二晶体结构中的所有分子构成的线性插值路径确定，所述晶格矢量基于所述匹配关系对应的两个分子确定，所述低能路径上任意两个原子之间的间距大于第二预设阈值； 将所述低能路径确定为所述第一晶体结构与所述第二晶体结构之间的转晶路径。
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