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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111604861.7，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器是由王凤娟;侯仓仓;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，包括七个顶部RDL螺旋电感，七个顶部RDL螺旋电感的下方连接四个TSV电容。本发明能在实现共模噪声基本性能的同时，整体结构紧凑，集成度高。

本发明授权基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器在权利要求书中公布了：1.基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，其特征在于：包括七个顶部RDL螺旋电感，七个顶部RDL螺旋电感的下方连接四个TSV电容； 七个所述顶部RDL螺旋电感包括RDL螺旋电感L1、RDL螺旋电感L2、RDL螺旋电感L3、RDL螺旋电感L4、RDL螺旋电感L5、RDL螺旋电感L6、RDL螺旋电感L7； RDL螺旋电感L1、RDL螺旋电感L2、RDL螺旋电感L3、RDL螺旋电感L4、RDL螺旋电感L5、RDL螺旋电感L6、RDL螺旋电感L7的结构相同，均由等厚等宽的RDL旋转而成； 所述螺旋电感包括旋转起始端port1和旋转末端port2； 四个所述TSV电容包括TSV电容C1、TSV电容C2、TSV电容C3、TSV电容C4； TSV电容C1、TSV电容C2、TSV电容C3、TSV电容C4结构相同，所述TSV电容包括电容极板plate1、电容极板plate2、电容极板plate3和电容极板plate4；电容极板plate1和电容极板plate2之间构成MIM电容；电容极板plate3和电容极板plate4之间构成MIM电容； 电容极板plate1通过TSV和电容极板plate3相接；电容极板plate2通过TSV和电容极板plate4相接； 所述TSV电容C1的plate1分别与RDL螺旋电感L1的起始端port1、RDL螺旋电感L2的起始端port1相接； TSV电容C2的plate1分别与RDL螺旋电感L2的末端port2、RDL螺旋电感L3的起始端port1相接； TSV电容C3的plate2分别与RDL螺旋电感L4的起始端port1、RDL螺旋电感L5的起始端port1相接； TSV电容C4的plate2分别与RDL螺旋电感L5的末端port2、RDL螺旋电感L6的起始端port1相接； TSV电容C1的plate2、TSV电容C2的plate2、TSV电容C3的plate1、TSV电容C4的plate1均与螺旋电感L7的起始端port1相接；螺旋电感L7的末端port2接地。

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