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龙图腾网获悉苏州捷研芯电子科技有限公司申请的专利MEMS集成封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114314495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111599852.3，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权MEMS集成封装结构及其制备方法是由王建国设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS集成封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了MEMS集成封装结构及其制备方法，MEMS集成封装结构包括树脂基板，所述树脂基板上倒装设置有MEMS芯片，MEMS芯片与所述树脂基板之间具有焊球高度的间隔且焊球通过引脚引至所述树脂基板的外表面，MEMS芯片外部包覆有一层真空成腔覆膜层，真空成腔覆膜层与所述树脂基板的结合处位于所述焊球的外侧使所述MEMS芯片与树脂基板的间隔处形成真空腔，真空成腔覆膜层外通过环氧注塑料与所述树脂基板封装形成环氧树脂包覆层。本发明通过真空成腔覆膜工艺实现MEMS芯片与树脂基板的第一次封装，并在MEMS芯片与树脂基板之间形成一层真空腔，在通过高压注塑进行第二次封装，在实现同样两次封装效果的同时，节省了封装等待时间和工艺流程，节约了封装成本。

本发明授权MEMS集成封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.MEMS集成封装结构的制备方法，其特征在于：用于制备MEMS集成封装结构，所述MEMS集成封装结构包括树脂基板（1），所述树脂基板（1）上倒装设置有MEMS芯片（2），所述MEMS芯片（2）与所述树脂基板（1）之间具有焊球（3）高度的间隔且焊球（3）通过引脚（7）引至所述树脂基板（1）的外表面，所述MEMS芯片（2）外部包覆有一层真空成腔覆膜层（4），所述真空成腔覆膜层（4）与所述树脂基板（1）的结合处位于所述焊球（3）的外侧使所述MEMS芯片（2）与所述树脂基板（1）的间隔处形成真空腔（6），所述真空成腔覆膜层（4）外通过环氧注塑料与所述树脂基板（1）封装形成环氧树脂包覆层（5）；所述真空腔（6）的高度为10um-15um；所述树脂基板（1）上选择性地设置有叠装芯片，所述叠装芯片包括倒装设置在所述树脂基板（1）上的第一芯片（8）以及正装设置在所述第一芯片（8）以上的第二芯片（9），所述第一芯片（8）与所述树脂基板（1）之间通过引脚（7）互联，所述第二芯片（9）的引线与所述基板通过引线键合互联；所述树脂基板（1）上选择性地设置有被动元器件（10），所述被动元器件（10）包括电容、电阻，所述被动元器件（10）与基板之间设置有锡膏层；所述环氧树脂包覆层（5）包覆在所述真空成腔覆膜层（4）、第一芯片（8）以上、第二芯片（9）以及电阻、电容元器件的外部，将所述MEMS芯片（2）、和或叠装芯片、和或被动元器件（10）封装在一起； 包括如下步骤： S1、在树脂基板（1）的表面印刷锡膏后将倒装芯片、被动元器件（10）贴装在树脂基板（1）表面，并通过回流焊接的方式将所述倒装芯片和被动元器件（10）焊接固定在树脂基板（1）表面； S2、烘烤固化树脂基板（1），并将固化后的树脂基板（1）以及贴装在所述树脂基板（1）上的倒装芯片和被动元器件（10）一起进行等离子清洗，备用； S3、在MEMS芯片（2）的表面通过电镀植焊球（3），所述MEMS芯片（2）倒装焊球（3）直径65±5um，高度45±5um，再根据树脂基板（1）上MEMS芯片（2）对应的装配位置对所述MEMS芯片（2）进行切割整形，切割完成后，将所述MEMS芯片（2）通过热压超声焊接的方式倒装在经过所述步骤S2后的树脂基板（1）上； S4、通过真空覆膜成腔步骤在所述MEMS芯片（2）的外部形成一层真空成腔覆膜层（4）； S5、高压注塑，形成环氧树脂包覆层（5），并对注塑后的产品进一步烘烤固化形成MEMS集成封装结构； 所述步骤S4中“真空覆膜成腔步骤”具体为： S41、在所述MEMS芯片（2）的外部贴半固化环氧膜，所述半固化环氧膜牌号为NAGASEA2034或类似性能的替代材料，所述半固化环氧膜厚度4-20um；比重1.61；Tg温度值90℃；弯曲模量8GPa；150℃条件下的凝胶时间为90s； S42、将所述树脂基板（1）放置固定于贴膜机的真空室内； S43、第一次工艺变化过程，所述真空室进行抽真空，在此抽真空过程中，对所述真空室内快速加热，温升5℃s,并保持恒温60±2℃，总时间为20±5s；在此过程中所述半固化环氧膜由固态液化呈溶胶状态； S44、第二次工艺变化过程，所述真空室保持恒温60±2℃，对所述真空室内进行加压，加压时间为10+2s、压力为0.1+0.02Mpa；在此过程中所述半固化环氧膜呈溶胶状态的流动填充和初步固化；形成的所述真空腔（6）的高度为10um-15um； S45、半固化环氧膜的烘烤固化，实现完全固化，烘烤温度150±3℃，烘烤时间为180±20分钟。

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