南京迈矽科微电子科技有限公司王龙获国家专利权
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龙图腾网获悉南京迈矽科微电子科技有限公司申请的专利动态偏置控制电路和Doherty功率放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114301396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111632987.5,技术领域涉及:H03F1/02;该发明授权动态偏置控制电路和Doherty功率放大器是由王龙;向渝;徐小杰设计研发完成,并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态偏置控制电路和Doherty功率放大器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种动态偏置控制电路和Doherty功率放大器。所述动态偏置控制电路用于Doherty功率放大器,并且与Doherty功率放大器中的辅路功率放大器电连接,所述动态偏置控制电路包括:动态偏置降压电路和动态偏置升压电路;动态偏置降压电路的输出电压与辅路功率放大器的输入功率为负相关,动态偏置升压电路的输出电压与辅路功率放大器的输入功率为正相关;动态偏置控制电路用于根据动态偏置降压电路和动态偏置升压电路的输出电压而相应调整提供给辅路功率放大器的偏置电压,以当输入功率大于第一预设功率时降低偏置电压以限制辅路功率放大器的功率幅度。本方案能够提高回退效率,并且保护辅路功率放大器的晶体管在过高功率模式下的安全。
本发明授权动态偏置控制电路和Doherty功率放大器在权利要求书中公布了:1.一种动态偏置控制电路,用于Doherty功率放大器,其特征在于,所述动态偏置控制电路与Doherty功率放大器中的辅路功率放大器电连接;所述动态偏置控制电路包括:动态偏置降压电路和与所述动态偏置降压电路连接的动态偏置升压电路;所述动态偏置降压电路的输出电压与所述辅路功率放大器的射频信号的输入功率为负相关,所述动态偏置升压电路的输出电压与所述辅路功率放大器的射频信号的输入功率为正相关;所述动态偏置控制电路用于根据所述动态偏置降压电路的输出电压和所述动态偏置升压电路的输出电压而相应调整提供给所述辅路功率放大器的偏置电压,以当所述辅路功率放大器的射频信号的输入功率大于第一预设功率时,降低所述偏置电压,以限制所述辅路功率放大器的功率幅度; 所述动态偏置降压电路包括:第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;所述动态偏置升压电路包括:第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第四电阻和第一电容;所述第一晶体管的第一端连接电源电压端,所述第一晶体管的控制端分别与所述第三晶体管的控制端、所述第一电容的第一端和所述动态偏置控制电路的电流源连接,所述第一晶体管的第二端与所述第一电阻的第一端连接;所述第一电阻的第二端分别与所述第二晶体管的第一端、所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端连接;所述第二晶体管的控制端与所述第二电阻的第二端连接,所述第二晶体管的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述第三电阻的第一端连接;所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接;所述第四电阻的第二端与所述第三晶体管的第一端连接;所述第三晶体管的控制端分别与所述第一电容的第一端和所述电流源连接,所述第三晶体管的第二端连接所述电源电压端;所述第一电容的第二端接地;所述第四晶体管的第一端连接电流源,所述第四晶体管的控制端与所述第四晶体管的第一端连接,所述第四晶体管的第二端与所述第五晶体管的第一端连接;所述第五晶体管的控制端与所述第五晶体管的第一端连接,所述第五晶体管的第二端接地。
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