杭州电子科技大学黎小静获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于三值忆阻器的3线-1线编码器实现方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114268314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111645485.6,技术领域涉及:H03K19/20;该发明授权一种基于三值忆阻器的3线-1线编码器实现方法是由黎小静;王晓媛;李谱;张新睿;程知群设计研发完成,并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于三值忆阻器的3线-1线编码器实现方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于三值忆阻器的3线‑1线编码器实现方法。本发明设计的3线‑1线三值编码器电路,一共需要四个忆阻器分别是三个输入忆阻器Min1、Min2、Min3和一个输出忆阻器Mout;三个电压源分别是V、Vset1和Vset2;两个电压控制型开关S1和S2。本发明结构清晰简单,易于实现。该电路模型可用于多值数字逻辑运算等诸多领域中的应用研究,具有重要意义。
本发明授权一种基于三值忆阻器的3线-1线编码器实现方法在权利要求书中公布了:1.一种基于三值忆阻器的3线-1线编码器实现方法,其特征在于: 所设计的3线-1线三值编码器电路,一共需要四个忆阻器,分别是三个输入忆阻器Min1、Min2、Min3和一个输出忆阻器Mout;三个电压源分别是V、Vset1和Vset2;两个电压控制型开关S1和S2; 所述的3线-1线三值编码器电路中,电压源V的正极与输入忆阻器Min1的正极相连;输入忆阻器Min1的负极与输入忆阻器Min2的正极相连;输入忆阻器Min2的负极与输入忆阻器Min3的正极相连;输入忆阻器Min3的负极、输出忆阻器Mout的负极以及地线相连;直流电压源Vse1和Vset2的正极分别经过电压控制型开关S1和S2后与输出忆阻器Mout的正极相连; 所述的三值忆阻器的逻辑是一种多值逻辑,具有三种不同的逻辑状态,分别为:“0”、“1”和“2”;所设计的三值组合逻辑门电路都是以忆阻器的阻值作为逻辑状态变量;三值所对应忆阻器的状态分别是RH、RM和RL,其中RH表示逻辑“0”;RM表示逻辑“1”;RL表示逻辑“2”;三个输入忆阻器Min1、Min2、Min3可以根据实际需求输入“100”、“010”和“001”,其中输出忆阻器Mout的初始阻值为RH; 所述三值编码器的运行由一个激励电压源V驱动,其工作过程可分为两个阶段;第一阶段为初始阶段,V输出一个较小的初始电压VInit,用于测量各个忆阻器的初始状态;第二阶段为运行阶段,这一阶段V会输出一个较大的运行电压VRun用于完成逻辑运算; 直流电压源Vset1和Vset2输出的电压大小分别为vth1和vth2,用来完成对Mout的置“1”和置“2”操作;S1和S2为电压控制型开关,当施加的控制电压超过其阈值电压时开关才导通。
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