芯河半导体科技(无锡)有限公司张妮娜获国家专利权
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龙图腾网获悉芯河半导体科技(无锡)有限公司申请的专利一种高精准DCOC的版图结构设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114330210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210011202.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种高精准DCOC的版图结构设计方法是由张妮娜;郑雷;袁立凯;尹莉;周旸;庞坚设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精准DCOC的版图结构设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了，一种高精准DCOC的版图结构设计方法，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummymos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管；整个版图的对角线上均分布有dummymos管；版图左、右两侧的布局中，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。本发明的采用中心对称匹配方式，不仅从版图布局方面减小了工艺引起的信号失配，缩小版图面积，继而提生了分频器的性能指标，而且从设计方法上提升了版图设计者的工作效率。
本发明授权一种高精准DCOC的版图结构设计方法在权利要求书中公布了：1.一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummymos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管；整个版图的对角处均分布有dummymos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯河半导体科技(无锡)有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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