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芯河半导体科技(无锡)有限公司张妮娜获国家专利权

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龙图腾网获悉芯河半导体科技(无锡)有限公司申请的专利一种高精准DCOC的版图结构设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114330210B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210011202.0,技术领域涉及:G06F30/392;该发明授权一种高精准DCOC的版图结构设计方法是由张妮娜;郑雷;袁立凯;尹莉;周旸;庞坚设计研发完成,并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高精准DCOC的版图结构设计方法在说明书摘要公布了:本发明公开了,一种高精准DCOC的版图结构设计方法,整体版图布局采用中心对称分布,Q路的mos管分布在左上右下对角线方向,I路的mos管分布在右上左下对角线方向,整个DCOC的最外侧分布有dummymos管;整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管;整个版图的对角线上均分布有dummymos管;版图左、右两侧的布局中,I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。本发明的采用中心对称匹配方式,不仅从版图布局方面减小了工艺引起的信号失配,缩小版图面积,继而提生了分频器的性能指标,而且从设计方法上提升了版图设计者的工作效率。

本发明授权一种高精准DCOC的版图结构设计方法在权利要求书中公布了:1.一种高精准DCOC的版图结构设计方法,其特征在于,整体版图布局采用中心对称分布,Q路的mos管分布在左上右下对角线方向,I路的mos管分布在右上左下对角线方向,整个DCOC的最外侧分布有dummymos管;整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管;整个版图的对角处均分布有dummymos管;版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置;版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人芯河半导体科技(无锡)有限公司,其通讯地址为:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-301;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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