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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种器件的制备方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210063101.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种器件的制备方法及其结构是由欧欣;孙嘉良;林家杰;游天桂设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种器件的制备方法及其结构在说明书摘要公布了：本申请实施例所公开的一种器件的制备方法及其结构，包括对第二衬底进行离子注入，在第二衬底的内部形成缺陷层，得到待键合结构，将待键合结构和第一衬底进行键合，得到异质衬底，将第三衬底与异质衬底进行键合，得到异质复合衬底；异质复合衬底包括待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域；待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域依次连接设置，在待刻蚀区域制备调制掺杂场效应晶体管结构，且在待生长区域制备隔离结构，且在待制备区域制备互补金属氧化物半导体结构，将调制掺杂场效应晶体管结构与互补金属氧化物半导体结构连接，得到器件。本申请可以兼容调制掺杂场效应晶体管和互补金属氧化物半导体，可以减小热应力。

本发明授权一种器件的制备方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种器件的制备方法，其特征在于，包括： 获取第一衬底、第二衬底和第三衬底；所述第一衬底具有键合面，所述第二衬底具有注入面；所述第一衬底的材料为单晶碳化硅；所述单晶碳化硅包括6H-SiC、4H-SiC；所述第二衬底的材料为磷化铟；所述第三衬底包括第一硅层、埋氧层和第二硅层，所述第一硅层设置在所述埋氧层上，所述埋氧层设置在所述的第二硅层上； 从所述注入面对所述第二衬底进行离子注入，在所述第二衬底的内部形成缺陷层，得到待键合结构； 将所述待键合结构的所述注入面和所述第一衬底的所述键合面进行键合，得到第一待处理衬底； 沿所述第一待处理衬底的所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，得到第二待处理衬底； 对所述第二待处理衬底进行后退火处理和表面抛光处理，得到异质衬底； 将所述第三衬底沿所述第二硅层的表面与所述异质衬底进行键合，得到异质复合衬底；所述异质复合衬底包括待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域；所述待刻蚀区域、所述待生长区域和所述待制备区域依次连接设置；所述将所述第三衬底沿所述第二硅层的表面与所述异质衬底进行键合，得到异质复合衬底，包括：将所述第三衬底的所述第二硅层与所述异质衬底进行键合，得到待处理异质复合衬底；对所述待处理异质复合衬底进行后退火加固处理，并对后退火加固处理后的所述待处理异质复合衬底进行腐蚀处理，腐蚀所述第一硅层和所述埋氧层，得到所述异质复合衬底； 在所述待刻蚀区域制备调制掺杂场效应晶体管结构，且在所述待生长区域制备隔离结构，且在所述待制备区域制备互补金属氧化物半导体结构；所述掺杂场效应晶体管结构通过在窗口结构内外延生长制备；所述窗口结构为对所述待刻蚀区域进行刻蚀处理，以使部分第二硅层被刻蚀得到；所述窗口结构内依次制备有缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、势垒层和接触层，所述缓冲层、所述沟道层、所述隔离层、所述掺杂层、所述势垒层和所述接触层的厚度之和，与未被刻蚀的所述第二硅层的厚度相等； 将所述调制掺杂场效应晶体管结构与所述互补金属氧化物半导体结构连接，得到器件。

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