华邦电子股份有限公司冈部翔获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置及连续读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210121583.8，技术领域涉及：G11C16/24；该发明授权半导体装置及连续读出方法是由冈部翔设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及连续读出方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及抑制由预充电时间增加引起的预充电电压的变动的连续读出方法。本发明的NAND型闪速存储器的连续读出方法包括以下步骤：向与位线连接的晶体管BLCLAMP的栅极施加第一电压VCLMP1+Vth，经由晶体管BLCLAMP向位线供给电压而开始位线的预充电；以及在施加第一电压引起的预充电时间经过了一定时间时，向晶体管BLCLAMP的栅极施加比第一电压低的第二电压VCLMP1+Vth‑α。
本发明授权半导体装置及连续读出方法在权利要求书中公布了：1.一种连续读出方法，是与非型闪速存储器的连续读出方法，包括以下步骤： 向与位线连接的晶体管的栅极施加第一电压，经由所述晶体管向位线供给电压而开始位线的预充电；以及 在由施加所述第一电压引起的预充电时间经过了一定时间时，向所述晶体管的栅极施加比所述第一电压低的第二电压，其中，施加所述第二电压的步骤在接收读出节点的电荷的锁存电路无法进行初始化时施加所述第二电压，直至能够进行所述锁存电路的初始化为止，所述一定时间是基于判定是否能够进行所述锁存电路的初始化所需要的时间来决定。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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