季华实验室张南获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551572B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210163347.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法是由张南;刘欣然;刘欣;郭嘉杰;黄吉裕;伍三忠设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件领域，公开了拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法，拓扑PN结包括衬底、电极、P型区和N型区；所述P型区与一所述电极相接，所述N型区与另一所述电极相接，所述N型区与所述P型区之间形成空间电荷区；所述P型区为P型掺杂的拓扑半导体，所述N型区为N型掺杂的拓扑半导体。本申请提供了一种新型的基于拓扑半导体的拓扑PN结，可以充分利用半导体具有能隙且易于调控的优势，可以有效实现拓扑量子输运特性的单向开启。
本发明授权拓扑PN结及其制备方法和拓扑量子输运特性的调节方法在权利要求书中公布了：1.一种拓扑PN结，包括衬底、电极、P型区和N型区；所述P型区与一所述电极相接，所述N型区与另一所述电极相接，所述N型区与所述P型区之间形成空间电荷区；其特征在于，所述P型区为P型掺杂的拓扑半导体，所述N型区为N型掺杂的拓扑半导体； 所述拓扑半导体的能带中含有至少两个拓扑能带交点，且，所述拓扑半导体的导带中含有至少一个所述拓扑能带交点，所述拓扑半导体的价带中含有至少一个所述拓扑能带交点； 对所述拓扑PN结施加正向偏压实现所述拓扑PN结的拓扑量子输运特性的打开状态；对所述拓扑PN结施加反向偏压实现所述拓扑PN结的拓扑量子输运特性的关闭状态； 所述拓扑PN结的反向击穿电压和正向开启电压的比值大于10。
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