石家庄烽瓷电子技术有限公司曾欣获国家专利权
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龙图腾网获悉石家庄烽瓷电子技术有限公司申请的专利基于高温共烧陶瓷的高隔离度宽带双极化天线单元及阵列获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114566803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210224884.3,技术领域涉及:H01Q1/52;该发明授权基于高温共烧陶瓷的高隔离度宽带双极化天线单元及阵列是由曾欣;赖邱亮设计研发完成,并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于高温共烧陶瓷的高隔离度宽带双极化天线单元及阵列在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于高温共烧陶瓷的高隔离度宽带双极化天线单元及阵列,所述天线单元包括天线部分和射频前端部分,使用焊盘与馈电探针将这两部分链路连接在一起形成所述天线单元。所述天线部分1和射频前端部分2均采用高温共烧陶瓷基板进行设计。本申请中使用高温共烧陶瓷技术的初衷是为了实现天线和射频前端的一体化,减少天线到射频前端的传输路径,从而降低传输损耗,使成本与系统性能具有良好平衡。
本发明授权基于高温共烧陶瓷的高隔离度宽带双极化天线单元及阵列在权利要求书中公布了:1.一种基于高温共烧陶瓷的高隔离度宽带双极化天线单元,其特征在于:包括天线部分(1)和射频前端部分(2),使用焊盘(1-20)与馈电探针将这两部分链路连接在一起形成所述天线单元; 所述天线部分(1)包括第一高温共烧陶瓷基板(1-1),所述第一高温共烧陶瓷基板(1-1)的底部形成有第一接地层(1-2),所述第一接地层(1-2)上形成有两个端口安装过孔,分为端口V过孔(1-3)和端口H过孔(1-4),所述第一高温共烧陶瓷基板(1-1)的上表面形成有第二接地层(1-23),所述第二接地层(1-23)上分别与所述端口安装过孔相对应的位置形成有两个通过孔(1-5),所述端口V过孔(1-3)和端口H过孔(1-4)外周的第一高温共烧陶瓷基板(1-1)内形成有贯穿其上下表面的圆周状的端口V等效同轴线(1-6)和端口H等效同轴线(1-7),端口V等效同轴线(1-6)和端口H等效同轴线(1-7)的上下两端分别与所述第二接地层(1-23)以及第一接地层(1-2)连接,所述第二接地层(1-23)的上表面形成有第二高温共烧陶瓷基板(1-8),第二高温共烧陶瓷基板(1-8)的上表面形成有辐射贴片(1-9),所述辐射贴片(1-9)的相邻的两个边上形成有端口V馈电线(1-10)和端口H馈电线(1-11),所述端口V馈电线(1-10)和端口H馈电线(1-11)分别通过一个第一馈电探针(1-12)与对应的第一高温共烧陶瓷基板(1-1)上的第二馈电探针(1-13)电连接,所述第二馈电探针(1-13)分别位于所述端口V等效同轴线(1-6)和端口H等效同轴线(1-7)的轴心位置;所述辐射贴片(1-9)外侧的第二高温共烧陶瓷基板(1-8)的上表面形成有第三高温共烧陶瓷基板(1-14),所述第三高温共烧陶瓷基板(1-14)上形成有空气孔,所述第三高温共烧陶瓷基板(1-14)的上表面形成有第四高温共烧陶瓷基板(1-15),所述第四高温共烧陶瓷基板(1-15)的下表面形成有寄生贴片(1-16),所述第二高温共烧陶瓷基板(1-8)、第四高温共烧陶瓷基板(1-15)与所述空气孔围合成空气腔(1-17),所述辐射贴片(1-9)以及所述寄生贴片(1-16)位于所述空气腔(1-17)内。
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