华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210252387.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法是由李国强;李善杰;王文樑;邢志恒设计研发完成，并于2022-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，包括以下步骤：先在半导体外延片上依次形成第一导电金属层、光刻胶层和第二导电金属层，再进行电子束曝光，再对第二导电金属层进行刻蚀，再对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域，再对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽，再剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽。本发明通过在光刻胶底部及顶部分别溅射薄层导电金属，抑制了电子束光刻过程中的电子临近效应及背散射效应，大幅提升了百纳米级栅极凹槽的刻蚀精度。
本发明授权一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对半导体外延片进行清洗和干燥，再在半导体外延片上形成第一导电金属层； 2在第一导电金属层上形成光刻胶层，并进行坚膜处理； 3在光刻胶层上形成第二导电金属层，得到含金属-光刻胶-金属结构的半导体外延片； 4对含金属-光刻胶-金属结构的半导体外延片进行电子束曝光，并进行曝光后烘烤； 5对第二导电金属层进行刻蚀； 6对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域； 7对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽； 8剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽； 步骤5所述刻蚀的方式为湿法刻蚀； 步骤7所述刻蚀的方式为等离子体刻蚀； 步骤8所述刻蚀的方式为湿法刻蚀。
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