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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技有限公司申请的专利一种超窄间距PI层开口方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210549652.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种超窄间距PI层开口方法及半导体封装结构是由施金诚;陶余凡设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超窄间距PI层开口方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超窄间距PI层开口方法及半导体封装结构，该方法包括：提供一基底，在基底上采用超高转速旋涂法制作超薄PI层，超薄PI层形成有开口宽度尺寸小于或等于5μm的超窄开口一，在超薄PI层上制作介质层，介质层为胶厚5～10μm的PI层，并形成开口二，开口一和开口二形成制作再布线层的空间；通过该方法可制作具有多层再布线层的半导体封装结构，每层再布线层生长时，均可以采用该方法。本发明将常规PI层改为超薄PI层和PI介质层相结合，在不会改变原常规PI层的厚度的情况下，提供超窄的PI开口尺寸，解决了常规PI层无法实现超窄间距开口的问题，两层PI层更好的提供了电路连接和机械性能，起到较好的电磁屏蔽效果，同时改善常规PI层表面起伏较大问题。

本发明授权一种超窄间距PI层开口方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种超窄间距PI层开口方法，其特征在于： 提供一基底，所述基底包括位于表面的钝化层和位于钝化层下方的半导体器件结构，所述半导体器件结构至少包括临近所述钝化层的顶部金属层以及顶部金属层下方的衬底； 在所述基底上涂胶制作第一超薄PI层，对所述第一超薄PI层进行低能量曝光，通过显影将未曝光区域的光刻胶溶解去除，形成超窄的开口一，进行固化，形成胶厚小于或等于3μm的第一超薄PI层，所述开口一的开口宽度尺寸小于或等于5μm； 在所述第一超薄PI层上涂胶制作第一介质层，所述第一介质层为PI层，对所述第一介质层通过曝光、显影、固化，形成胶厚5~10μm的第一介质层，并形成开口宽度尺寸大于8μm的开口二，所述开口二位于开口一的上方； 所述开口一和开口二形成制作再布线层的空间；制作的所述再布线层的下部填充于开口一和开口二形成的空间，所述再布线层的顶部设有向下凹陷的凹陷部，且所述再布线层的底部具有一层种子层。

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