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龙图腾网获悉沈阳爱科斯科技有限公司申请的专利真空镀膜系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114855118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210675641.1，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权真空镀膜系统是由王君设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本真空镀膜系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种真空镀膜系统，属于镀膜设备技术领域。真空镀膜系统，包括真空镀膜室和刻蚀装置；刻蚀装置包括相对设置于真空镀膜室内的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构，第一刻蚀机构包括第一刻蚀组件和第一阳极，第二刻蚀机构包括第二刻蚀组件和第二阳极；第一刻蚀组件与真空镀膜室的侧壁相连接，第一阳极设置于真空镀膜室内，且位于第一刻蚀组件的前端；第二刻蚀组件与真空镀膜室的顶壁相连接，第二阳极与真空镀膜室的底壁相连接，且与第二刻蚀组件相对设置。通过在真空镀膜室内相对设置的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构能够形成覆盖率更大的刻蚀区，从而在一定程度上提高镀膜效果和镀膜效率。

本发明授权真空镀膜系统在权利要求书中公布了：1.一种真空镀膜系统，其特征在于，包括真空镀膜室和刻蚀装置； 所述刻蚀装置包括相对设置于所述真空镀膜室内的第一刻蚀机构和第二刻蚀机构，所述第一刻蚀机构包括第一刻蚀组件和第一阳极，所述第二刻蚀机构包括第二刻蚀组件和第二阳极； 所述第一刻蚀组件与所述真空镀膜室的侧壁相连接，所述第一阳极设置于所述真空镀膜室内，且位于所述第一刻蚀组件的前端，以形成水平刻蚀区域； 所述第二刻蚀组件与所述真空镀膜室的顶壁相连接，所述第二阳极与所述真空镀膜室的底壁相连接，且与所述第二刻蚀组件相对设置，以形成竖直刻蚀区域； 还包括磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括第一磁控溅射机构和第二磁控溅射机构，所述第一磁控溅射机构包括两个相对设置的第一磁控溅射组件，所述第二磁控溅射机构包括两个相对设置的第二磁控溅射组件； 所述第一磁控溅射组件和所述第二磁控溅射组件均包括第二靶座； 所述第一磁控溅射组件和所述第二磁控溅射组件均包括磁场构件，所述第二靶座上形成有第一承载槽和第二承载槽，所述第一承载槽和所述第二承载槽独立间隔设置，所述第一承载槽和所述第二承载槽内均设有所述磁场构件； 所述磁场构件包括磁极不同的第一磁体、第二磁体和承载座，所述第一磁体和所述第二磁体设置于所述承载座的两端，且所述第一承载槽内的第二磁体与所述第二承载槽内的第一磁体相接近，所述第一承载槽内的第一磁体与所述第二承载槽内的第二磁体相远离。

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