圆融光电科技股份有限公司蔡武获国家专利权
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龙图腾网获悉圆融光电科技股份有限公司申请的专利一种深紫外LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210986139.2，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种深紫外LED外延结构及其制备方法是由蔡武;康建;杨天鹏;陈向东设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体结构技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供了一种深紫外LED外延结构，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层；所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层。本发明所述深紫外LED外延结构具有较高的光电转化效率和老化寿命。
本发明授权一种深紫外LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外LED外延结构，其特征在于，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层； 所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层； 所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层独立的为单层AlGaN层或交替层叠设置的超晶格层； 所述吸收层包括由下到上依次交替层叠设置的InGaN吸收层和AlGaN吸收层；所述交替层叠设置的周期数为1～3；所述InGaN吸收层中In的原子百分含量为1％～10％；所述AlGaN吸收层中Al的原子百分含量为45％～75％。
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