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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种L波段单片集成功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115514325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048611.4，技术领域涉及：H03F1/56；该发明授权一种L波段单片集成功率放大器是由杨帆;徐跃杭设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种L波段单片集成功率放大器在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种L波段单片集成功率放大器。该功率放大器包括：输入匹配网络单元、晶体管单元和输出匹配网络单元；通过输入匹配网络单元和输出匹配网络单元特有的电路结构，实现了GAN工艺下晶体管单元输入与输出的阻抗匹配，无需片外电感和片外电容作匹配，解决了现有技术中应用于L波段功率放大器的成本高、效率低、带宽小、尺寸大等问题。

本发明授权一种L波段单片集成功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种L波段单片集成功率放大器，包括：输入匹配网络单元、晶体管单元和输出匹配网络单元，其特征在于： 所述输入匹配网络单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电感L1、电感L2和电感L3；电阻R1的第一端与电容C4第一端相连后分别与电感L2和电感L3的第一端连接，电阻R1的第二端与电容C4的第二端相连后作为输入匹配网络单元的输出连接晶体管单元，电感L2的第二端经电容C2接射频输入信号RFin，电感L3的第二端经电阻R2后分别连接电阻R3和电容C3的第一端；电阻R3的第二端接外部栅极偏置电压信号VG，电容C3的第二端接地；电感L1的第一端接射频输入信号RFin，第二端接地；电容C1的第一端分别连接电感L1的第一端和电容C2接射频输入信号RFin的一端，另一端接地； 所述晶体管单元包括晶体管DM1和晶体管DM2，晶体管DM1的栅极与晶体管DM2的栅极均连接至信号节点N1，用于接收输入级匹配单元提供的射频信号；晶体管DM1的源极与晶体管DM2的源极均接地，晶体管DM1的漏极作为晶体单元的第一输出端连接输出匹配网络单元的第一输入端口，晶体管DM2的漏极作为晶体单元的第二输出端连接输出匹配网络单元的第二输入端口； 所述输出匹配网络单元包括传输线T1、传输线T2、传输线T3、传输线T4、电容C5、电容C6、电容C7、电感L6和电阻R4；传输线T1的第一端作为输出匹配网络单元的第一输入端口连接晶体单元的第一输出端，传输线T1的第二端与传输线T2的第二端相连后连接传输线T3的第一端，传输线T2的第一端作为输出匹配网络单元的第二输入端口连接晶体单元的第二输出端，传输线T3第二端分别连接传输线T4的第一端和电容C7的第一端，传输线T4第二端口分别连接电容C5第一端和电感L6第一端，电容C5的第二端接地，电感L6的第二端分别接芯片外部漏级偏置VD和电容C6的第一端，电容C6的第二端接地，电容C7的第二端为输出输出匹配网络单元的输出端口；电阻R4作为平衡电阻，其一端连接传输线T1的第一端，另一端连接传输线T2的第一端。

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