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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种Pomosomes空心壳层结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115449089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211047981.6，技术领域涉及：C08J3/03；该发明授权一种Pomosomes空心壳层结构及其制备方法是由黄才利;吴雨恬设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Pomosomes空心壳层结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Pomosomes空心壳层结构及其制备方法。所述制备方法包括下列步骤：1将带有正电的聚合物溶于油相，将多金属氧酸盐和无机盐分散于水相，所述多金属氧酸盐能够与带有正电的聚合物通过静电相互作用形成组装体；所述无机盐用于降低多金属氧酸盐之间的静电排斥；2将所述油相和水相混合后进行乳化，静止后得到含有纳米壳层结构的乳液。本发明利用小尺寸纳米粒子为原料制备了稳定的壳层结构。

本发明授权一种Pomosomes空心壳层结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Pomosomes空心壳层结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤： （1）将带有正电的聚合物溶于油相，将多金属氧酸盐和无机盐分散于水相，所述多金属氧酸盐能够与带有正电的聚合物通过静电相互作用形成组装体；所述无机盐用于降低多金属氧酸盐之间的静电排斥； 所述带有正电的聚合物为双氨丙基封端聚二甲基硅氧烷、氨丙基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷无规共聚物中的一种，或者，所述带有正电的聚合物同时含有单氨基端基聚二甲基硅氧烷和苯乙烯-（2-乙烯基吡啶）嵌段共聚物；所述氨丙基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷无规共聚物所含氨基数量为5-53； 且当所述带有正电的聚合物同时含有单氨基端基聚二甲基硅氧烷和苯乙烯-（2-乙烯基吡啶）嵌段共聚物时，先添加分子量小的单氨基端基聚二甲基硅氧烷，与多金属氧酸盐组装后，再加入分子量大的苯乙烯-（2-乙烯基吡啶）嵌段共聚物参与组装； 所述带有正电的聚合物的分子量为2000-20000gmol，所述带有正电的聚合物中氨基之间平均分子量为377-3000gmol； 所述多金属氧酸盐为{Mo72V30}； 所述无机盐为氯化铷、氯化钠或氯化钾； 所述带有正电的聚合物与所述多金属氧酸盐的物质的量之比为（0.38-17.52）：1； （2）将所述油相和水相混合后进行乳化，静止后得到含有Pomosomes空心壳层结构的乳液。

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