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龙图腾网获悉航天科工微电子系统研究院有限公司申请的专利一种Ka频段TR组件SiP芯片结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211051864.7，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种Ka频段TR组件SiP芯片结构及其设计方法是由白明顺;吴斌;谢峰;吴波设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ka频段TR组件SiP芯片结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Ka频段TR组件SiP芯片结构及其设计方法，涉及相控阵雷达射频前端领域，将Ka频段功放芯片、Ka频段低噪放芯片、射频开关、Ka频段移相衰减多功能芯片、Ka频段功分功合网络以及控制芯片通过微系统技术，封装成一个多通道Ka频段SiP芯片；本发明，采用了新材料、新工艺，并利用多层板技术以及三维封装堆叠等技术路线进行设计，在有限的空间内既增大了单SiP芯片的输出功率，也解决了因输出功率大而导致的散热问题。

本发明授权一种Ka频段TR组件SiP芯片结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种Ka频段TR组件SiP芯片结构，其特征在于，包括： SiP芯片壳体，所述SiP芯片壳体包括：第一基板和围框，所述第一基板置于围框内；所述第一基板一面安装有Ka频段功放芯片、Ka频段低噪放芯片和射频开关，第一基板另一面安装有供SiP芯片与外部连接的BGA植球； 第二基板，所述第二基板安装在围框内，与第一基板分层设置；所述第二基板上安装有Ka频段移相衰减多功能芯片、Ka频段功分功合网络和控制芯片； 所述Ka频段功放芯片与Ka频段低噪放芯片分别与射频开关连接，所述Ka频段低噪放芯片通过射频开关与Ka频段移相衰减多功能芯片连接，所述Ka频段移相衰减多功能芯片与Ka频段功分功合网络连接； 所述第一基板上设有用于安装第二基板的安装部，所述第二基板位于第一基板的上方； 所述安装部上设有供第一基板和第二基板电性连接的过孔； 所述第一基板上安装有Ka频段功放芯片、Ka频段低噪放芯片和射频开关的一面与第二基板上未安装Ka频段移相衰减多功能芯片、Ka频段功分功合网络和控制芯片的一面相对设置； 所述围框的顶面上设有盖板，用于对SiP芯片壳体进行封状； 所述盖板与第二基板之间，以及第一基板与第二基板之间均具有散热间隙； 所述第一基板上安装有BGA植球的一面与围框的底面在同一水平线上； 所述安装部包括：垂直于第一基板上设置的安装墙，所述安装墙上设有用于安装第一基板的安装台阶；所述过孔设置在安装墙内； 所述第一基板和第二基板均为陶瓷基板； 所述围框为金属围框。

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