杭州电子科技大学李馨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211156390.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器及其制备方法是由李馨;胡进;张骐;苏俊设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测器领域，针对现有二硫化钼光电探测器的光响应度低的缺点，本发明提供了一种聚四氟乙烯与二硫化钼复合的光电探测器的制备方法，通过化学气相沉积法在绝缘硅片上生长二硫化钼，制备二硫化钼光电探测器，旋涂制备聚四氟乙烯薄膜，通过电晕对聚四氟乙烯薄膜极化，最后利用聚甲基丙烯酸甲酯薄膜湿法转移二硫化钼与聚四氟乙烯复合。本发明显著提高了二硫化钼光电探测器光响应度，制备的光电探测器的性能稳定性好，且操作简便且对制备条件要求不高。
本发明授权二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1制备二硫化钼薄膜； 2旋涂制备聚四氟乙烯薄膜； 3通过电晕对聚四氟乙烯薄膜极化，使其长时间储存电荷； 4将制备得到的二硫化钼薄膜与聚四氟乙烯薄膜复合，得到二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器，所述二硫化钼聚四氟乙烯复合光电探测器自上而下依次为二硫化钼层4，彼此间隔设置在所述二硫化钼层上的金属电极3、聚四氟乙烯薄膜层2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街1158号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号