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龙图腾网获悉苏州浪潮智能科技有限公司申请的专利一种BBU充电电路、控制方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211264336.X，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种BBU充电电路、控制方法、存储系统是由张凯设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BBU充电电路、控制方法、存储系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种BBU充电电路、控制方法、存储系统，包括：左桥臂MOS管单元、右桥臂MOS管单元、储能单元，所述储能单元连接所述左桥臂MOS管单元与所述右桥臂MOS管单元之间，所述左桥臂MOS管单元的输入端连接电源，所述右桥臂MOS管单元的输出端所述BBU的输入端；所述储能单元包括第一电感L1和第二电感L2，所述第一电感L1和所述第二电感L2随所述左桥臂MOS管单元和所述右桥臂MOS管单元的导通或关断，实现所述第一电感L1和所述第二电感L2交替充电和放电；将流经所述第一电感L1的电流和流经所述第二电感L2的电流进行叠加，作为BBU充电电流，为所述BBU进行充电。

本发明授权一种BBU充电电路、控制方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种BBU充电电路，其特征在于，包括：左桥臂MOS管单元、右桥臂MOS管单元、二极管单元、储能单元、滤波单元，所述储能单元连接所述左桥臂MOS管单元与所述右桥臂MOS管单元之间，所述左桥臂MOS管单元的输入端连接电源，所述右桥臂MOS管单元的输出端所述BBU的输入端； 所述左桥臂MOS管单元和所述右桥臂MOS管单元由PWM信号控制导通或关断，其中所述信号由PWM控制器发出；所述滤波单元包括第一电容C1与第二电容C2； 所述储能单元包括第一电感L1和第二电感L2，所述第一电感L1的输入端和所述第二电感L2的输入端连接所述左桥臂MOS管单元的输出端，所述第一电感L1的输出端和所述第二电感L2的输出端连接所述右桥臂MOS管单元的输出端，所述第一电感L1和所述第二电感L2随所述左桥臂MOS管单元和所述右桥臂MOS管单元的导通或关断，实现所述第一电感L1和所述第二电感L2交替充电和放电； 将流经所述第一电感L1的电流和流经所述第二电感L2的电流进行叠加，作为BBU充电电流，为所述BBU进行充电； 其中，所述右桥臂MOS管单元包括：第三MOS管Q3；所述左桥臂MOS管单元包括第四MOS管Q4，所述右桥臂MOS管单元还包括第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7，所述储能单元还包括第三电感L3，所述二极管单元包括第三二极管D3与第四二极管D4； 所述第四MOS管Q4的漏极连接电源，源极连接所述储能单元的输入端与所述第三二极管D3的负极，栅极连接所述PWM控制器的信号输出端； 所述第五MOS管Q5的漏极连接恒压单元的负极与所述第三电感L3的输出端，源极接地，栅极连接所述PWM控制器的信号输出端； 所述第六MOS管Q6的漏极连接所述第三MOS管Q3的源极与所述第二电感L2的输出端，源极接地，栅极连接所述PWM控制器的信号输出端； 所述第七MOS管Q7的漏极连接所述第四二极管D4的正极，源极连接所述恒压单元的正极，栅极连接所述PWM控制器的信号输出端； 所述第三电感L3的输入端连接所述第四MOS管Q4的源极与所述第三二极管D3的负极，输出端连接所述第五MOS管Q5的漏极与所述恒压单元的负极； 所述第三二极管D3的负极连接所述第四MOS管Q4的源极与所述第三电感L3的输入端，正极连接所述第二电容C2的一端； 所述第四二极管D4的负极连接所述右桥臂MOS单元的输出端，正极连接所述第三电感L3的输入端，正极连接所述第七MOS管Q7的漏极； 所述恒压单元包括一个恒定的电压源，用于给所述BBU充电电路提供一个所述恒定的电压源； 所述恒压单元的正极连接所述第七MOS管Q7的源极，负极连接所述第五MOS管Q5的漏极与所述第三电感L3的输出端。

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