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中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利溶液法生长SiC单晶的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116121870B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211356676.5,技术领域涉及:C30B29/36;该发明授权溶液法生长SiC单晶的方法是由陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达设计研发完成,并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

溶液法生长SiC单晶的方法在说明书摘要公布了:一种溶液法生长SiC单晶的方法,包括:1将原料块置于坩埚底部,并且将助熔剂置于原料块的上方;其中所述原料块的组成满足Si和C的摩尔比为1:1;2将坩埚置于生长炉中,将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上,然后对所述生长炉抽真空;3通入功能性气体以控制生长炉内的气压,然后加热坩埚使得所述助熔剂完全熔化以形成助熔剂熔体并且使所述助熔剂处于特定的温场;4下推所述提拉杆使得所述籽晶与助熔剂熔体接触,并且对所述籽晶和坩埚进行旋转和提拉以及动态调整热源、坩埚及籽晶之间的相对位置,使得晶体生长界面、助熔剂熔体、原料块上表面之间的相对位置和温度保持不变。本发明的方法能够实现高质量SiC单晶的持续、稳定、快速生长。

本发明授权溶液法生长SiC单晶的方法在权利要求书中公布了:1.一种溶液法生长SiC单晶的方法,其包括以下步骤: (1)将原料块置于坩埚底部,并且将助熔剂置于原料块的上方;其中所述原料块的组成满足Si与C的摩尔比为1:1; (2)将坩埚置于生长炉中,并且将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上,然后对生长炉抽真空; (3)通入功能性气体并控制生长炉内的气压,然后加热坩埚使得所述助熔剂完全熔化以形成助熔剂熔体并且使得所述助熔剂熔体处于特定的温场; (4)下推所述提拉杆使得所述籽晶与助熔剂熔体接触,并且对所述籽晶和坩埚进行旋转和提拉以及动态调整热源、坩埚及籽晶之间的相对位置,使得晶体生长界面、助熔剂熔体、原料块上表面之间的相对位置和温度保持不变,以实现原料块从与助熔剂熔体接触的上表面至原料块的下表面依次被持续均匀地逐层溶解到助熔剂熔体中,并在晶体生长界面上持续析出SiC单晶; 其中,所述特定的温场为:与籽晶接触的助熔剂熔体上表面的温度为1500~2100℃,所述助熔剂熔体的温度自上表面到下表面以每厘米厚的助熔剂熔体2~30℃的温度梯度升高,所述原料块与助熔剂熔体接触的上表面温度等于助熔剂熔体下表面的温度,所述原料块的温度自上表面到下表面以每厘米厚的原料块大于30℃的温度梯度降低; 所述助熔剂熔体的厚度为10~50mm; 原料块的直径与坩埚内径相等; 所述步骤(4)中对所述籽晶和坩埚进行旋转是对所述籽晶和坩埚进行周期性的加速和减速旋转。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院物理研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村南三街8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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