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龙图腾网获悉宁波恒普真空科技股份有限公司申请的专利一种提高成膜质量的进气结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211545180.2，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权一种提高成膜质量的进气结构是由刘鹏;徐文立;沈磊设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高成膜质量的进气结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高成膜质量的进气结构，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道；多个保护气体流道和多个反应气体流道的进气端均位于进气室外侧，多个保护气体流道和多个反应气体流道的出气端均位于进气室底部；且相邻的反应气体流道的出气端被保护气体流道的出气端完全隔开。本发明中的提高成膜质量的进气结构，采用多个相互独立的密闭流道进气，保护气体将多种反应气体隔离，并通过设置调整件，改变每种反应气流道的横截面积，以改变反应气的在出气端的流速避免沉积。

本发明授权一种提高成膜质量的进气结构在权利要求书中公布了：1.一种提高成膜质量的进气结构，其特征在于，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口；所述反应室内设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有上部热场； 所述进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道；所述多个保护气体流道和所述多个反应气体流道的进气端均位于所述进气室外侧，所述多个保护气体流道和所述多个反应气体流道的出气端均位于所述进气室底部；且相邻的所述反应气体流道的出气端被所述保护气体流道的出气端完全隔开； 所述进气室内设置有多层石墨盘，每层所述石墨盘上方均设置有一石墨盖板，每个所述石墨盘与其上方对应的所述石墨盖板之间设置有一所述反应气体流道；且每个所述反应气体流道均通过一进气导管连通至所述进气室底部； 位于最上层的所述石墨盖板与所述进气室的内顶部之间以及每层所述石墨盘下方分别设置有一所述保护气体流道； 所述进气导管的顶部位于所述石墨盘和所述石墨盖板之间，所述进气导管的另一端延伸至所述进气室底部； 所述进气导管的顶部沿周向设置有向外延伸的横向限位环，所述石墨盘上设置有的安装孔，所述石墨盖板上与所述横向限位环相对应的设置有容纳槽，所述容纳槽的内尺寸大于所述横向限位环的外尺寸； 所述横向限位环周围设置有一外调节环，所述外调节环的外尺寸小于所述容纳槽的内尺寸； 所述进气导管的内壁顶端设置有第一调节槽，所述第一调节槽内设置有内调节环，所述内调节环中部沿轴向设置有通气孔。

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