中科纳米张家港化合物半导体研究所董旭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中科纳米张家港化合物半导体研究所申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115733050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211564894.8，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权半导体器件及其制备方法是由董旭;熊敏;朱杰设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括激光发射结构以及光探测器。激光发射结构包括发射激光束的有源区以及位于有源区上侧第一类型反射器层和位于有源区下侧的第二类型反射器层；光探测器设置于所述激光发射结构上并探测从所述有源区朝向所述光探测器方向发射至被探测物体后的反射激光束，所述光探测器内形成有空腔，所述光探测器包括自远离所述激光发射结构一侧覆盖所述空腔设置的第三反射器层，所述激光束自所述第三反射器层射出。本发明的半导体器件，能够在垂直方向上整合垂直腔面发射激光器与光探测器，增强光探测器的量子效率，增强激光器增益，有利于大功率激光输出。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 激光发射结构，包括发射激光束的有源区以及位于有源区上侧第一类型反射器层和位于有源区下侧的第二类型反射器层； 光探测器，设置于所述激光发射结构上并探测从所述有源区朝向所述光探测器方向发射至被探测物体后的反射激光束，所述光探测器内形成有空腔，所述光探测器包括自远离所述激光发射结构一侧覆盖所述空腔设置的第三反射器层，所述激光束自所述第三反射器层射出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科纳米张家港化合物半导体研究所，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号