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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116306441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310229376.9，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法是由刘锦辉;梁博;王锐;王恩泽;张嘉伟;柳逸扬设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法，主要解决现有数字集成电路辐射效应建模时间开销大，资源耗费高的问题。其实现方案为：选择数字化测量设备，在其上搭建测量系统；选择辐照后的数字器件作为原始器件，确定其缓冲器接口类型；用可控电压源分别测量输入缓冲区电源钳位二极管和地钳位二极管的电压‑电流特性曲线；用可控电压源分别测量输出缓冲区上拉管和下拉管的电压‑电流特性曲线；用示波器分别测量输出端的上升沿电压‑时间波形和下降沿电压‑时间波形；获取IBIS模型其他数据，用测量所得特性曲线、波形和数据构成数字集成电路辐射效应模型。本发明时间开销小，资源耗费低，可用于对数字集成电路辐射效应仿真。

本发明授权基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种基于测量的数字集成电路辐射效应IBIS模型构建方法，其特征在于，包括如下： 1选择数字化测量设备，在其上搭建由数字集成电路辐射效应测量电路和控制单元，组成数字集成电路辐射效应测量系统： 所述数字集成电路辐射效应测量电路，由器件输入缓冲区VI特性测量单元，输出缓冲区VI特性测量单元，输出缓冲区VT特性测量单元连接组成； 所述控制单元包括： VI特性测量模块，用于控制输入缓冲区VI特性测量单元和输出缓冲区VI测量单元，实现对数字器件输入缓冲区的电源钳位二极管VI曲线PowerClamp，地钳位二极管VI曲线GNDClamp，输出缓冲区的上拉管VI曲线Pullup和下拉管VI曲线Pulldown的测量； VT特性测量模块，用于控制输出缓冲区VT特性测量单元，实现对数字器件的输出缓冲区上升沿波形RisingWaveform和下降沿波形FallingWaveform的测量； VT数据优化模块，用于对测量所得VT数据RisingWaveform和FallingWaveform进行滤波处理； 2确定数字集成电路辐射效应IBIS模型所需数据： 2a选择一种辐照后的数字器件作为原始器件； 2b确定原始器件缓冲器接口类型； 2c根据缓冲器接口类型确定IBIS模型所需曲线； 3利用数字集成电路辐射效应测量系统对2确定的IBIS模型所需曲线进行测量，得到原始器件的VI数据和VT数据； 4通过仿真或查询数据手册得到原始器件的封装参数，通过交流分析或查询数据手册得到原始器件硅片电容； 5对IBIS模型数据进行整合及校验： 5a将测量所得VI数据、VT数据、器件封装参数和器件硅片电容按照IBIS规范写入文件，组成IBIS模型文件； 5b利用IBIS模型校验工具IBISCHK4对IBIS模型文件的合法进行校验： 若合法，则完成数字集成电路辐射效应的IBIS模型构建； 若不合法，则根据IBIS模型校验工具IBISCHK4提示的错误类型修改IBIS文件，重新校验，直至合法。

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