西安电子科技大学相征获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种四通带高选择性的频率选择表面结构及其单元结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116345177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310318497.0，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种四通带高选择性的频率选择表面结构及其单元结构是由相征;王敏锐;任鹏;李毅设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种四通带高选择性的频率选择表面结构及其单元结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种四通带高选择性的频率选择表面单元结构，包括：由上至下依次设置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第一空气腔、第三金属层、第二介质基板、第二空气腔、第四金属层、第三介质基板和第五金属层；第一金属层和第二金属层位于第一介质基板上；第三金属层位于第二介质基板的上表面上；第四金属层和第五金属层位于第三介质基板上；第一金属层和第五金属层开设有弯曲交叉槽缝隙；第二金属层和第四金属层均为正方形环路贴片；第三金属层为正方形贴片。本发明还公开了一种四通带高选择性的频率选择表面结构。本发明的频率选择表面结构通过多层级联的方式实现四通带，通带选择性高，频带抑制范围宽。
本发明授权一种四通带高选择性的频率选择表面结构及其单元结构在权利要求书中公布了：1.一种四通带高选择性的频率选择表面单元结构，其特征在于，包括：由上至下依次设置的第一金属层11、第一介质基板1、第二金属层12、第一空气腔2、第三金属层31、第二介质基板3、第二空气腔4、第四金属层51、第三介质基板5和第五金属层52； 所述第一金属层11和第二金属层12分别位于第一介质基板1的上表面和下表面上； 所述第三金属层31位于所述第二介质基板3的上表面上； 所述第四金属层51和所述第五金属层52分别位于所述第三介质基板5的上表面和下表面上； 所述第一金属层11和所述第五金属层52的结构相同，均开设有弯曲交叉槽缝隙，所述弯曲交叉槽缝隙以所在金属层的几何中心呈中心对称结构； 所述第二金属层12和所述第四金属层51均为正方形环路贴片； 所述第三金属层31为正方形贴片。
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