中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种真空器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310326529.1，技术领域涉及：H01J9/00；该发明授权一种真空器件及其制备方法是由刘强;俞文杰设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种真空器件及其制备方法，方法包括：对SOI衬底图形化，形成包括径向尺寸最小处的纳米窄小结构；栅介质层包裹纳米窄小结构；进行氢气退火，使径向尺寸最小处断开，形成将顶半导体层分隔为阳极区和阴极区的断面结构，栅介质层与纳米窄小结构使断面结构形成密闭腔，形成真空器件。本发明通过设置纳米窄小结构并通过氢气退火形成断面结构，得到阴阳极间隔为纳米级的真空器件，以形成较大场强和导通电流；同时利用纳米悬梁结构实现控制能力更强的全环绕栅的真空器件；另外，配合设置纳米悬梁结构下的空腔仅设置在顶半导体层，进一步缩小阴阳极间隔；最后通过圆化减薄纳米悬梁结构，进一步缩小阴阳极间隔。
本发明授权一种真空器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种真空器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一SOI衬底，所述SOI衬底从下到上依次包括衬底层、埋氧层和顶半导体层；对所述SOI衬底进行图形化，以形成一纳米窄小结构，使所述纳米窄小结构有一径向尺寸最小处； 于所述纳米窄小结构显露出的表面及所述顶半导体层的表面设置栅介质层，所述栅介质层包裹所述纳米窄小结构，于所述栅介质层表面设置第一栅电极层； 对至此得到的结构进行含氢气气氛的退火，使所述纳米窄小结构的径向尺寸最小处断开，形成一断面结构，所述断面结构将所述顶半导体层分隔为阳极区和阴极区，包裹所述断面结构的所述栅介质层与所述纳米窄小结构使所述断面结构形成一密闭腔； 于所述阳极区设置阳极接触电极，于所述阴极区设置阴极接触电极，于所述第一栅电极层设置栅极接触电极，至此形成真空器件。
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