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龙图腾网获悉西湖仪器(杭州)技术有限公司申请的专利一种半导体晶片生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119328910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311020245.6，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种半导体晶片生成方法是由刘峰江;刘东立设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体晶片生成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体晶片生成方法，其包括以下步骤，先设定激光扫描次数，再分别设定每次激光扫描的扫描路径和点间距；基于每次激光扫描预设的计算规则，确定激光扫描速度和激光脉冲重复频率，并确定对应的改质点直径、激光脉冲能量、以及激光焦点相对预设剥离面的偏移距离；将脉冲激光聚焦于晶锭内部的预设剥离面或预设剥离面下方，进行n次激光扫描，以在所述预设剥离面上依次形成改质点和裂纹；沿所述预设剥离面剥离晶锭，得到晶片和剩余晶锭。本发明不仅能消除晶片边缘的毛刺，还能进一步降低激光剥离的材料损耗，具有工艺条件简单、改质层形貌好、晶片剥离难度低、适用于大规模工业化应用的优点。

本发明授权一种半导体晶片生成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶片生成方法，其特征在于：包括以下步骤， S1先设定激光扫描次数为n次，n为≥2的整数，再分别设定每次激光扫描的扫描路径、以及所述扫描路径上相邻两个改质点之间的点间距P； S2基于每次激光扫描预设的计算规则，确定达到所述点间距P所需的激光扫描速度V和激光脉冲重复频率F，并确定对应的改质点直径D，进而确定达到所述改质点直径D所需的激光脉冲能量E、以及激光焦点相对预设剥离面的偏移距离S； S3将脉冲激光聚焦于晶锭内部的预设剥离面或预设剥离面下方，进行n次激光扫描，以在所述预设剥离面上依次形成改质点，且至少两次所述激光扫描形成的改质点之间形成重叠区域，以在所述重叠区域形成沿所述预设剥离面横向延伸的裂纹； S4沿所述预设剥离面剥离晶锭，得到晶片和剩余晶锭； 在所述S2中，第1~n′次激光扫描预设的计算规则为，Pn′=Vn′Fn′，Pn′≥0.7Dn′，En′≥1μJ，Sn′为0~5μm；其中，Pn′为第1~n′次扫描路径上相邻两个改质点之间的点间距，Dn′为第1~n′次激光扫描的改质点直径，Vn′为第1~n′次激光扫描速度，Fn′为第1~n′次激光脉冲重复频率，En′为第1~n′次激光脉冲能量，Sn′为第1~n′次激光焦点相对预设剥离面的偏移距离，n′为≥1的整数； 在所述S2中，第n′+1~n″次激光扫描预设的计算规则为，Pn′+1=Vn′+1Fn′+1，Pn′+1＜Dn′+1，En′+1≥5μJ，Sn′+1为0~20μm；其中，Pn′+1为第n′+1~n″次扫描路径上相邻两个改质点之间的点间距，Dn′+1为第n′+1~n″次激光扫描的改质点直径，Vn′+1为第n′+1~n″次激光扫描速度，Fn′+1为第n′+1~n″次激光脉冲重复频率，En′+1为第n′+1~n″次激光脉冲能量，Sn′+1为第n′+1~n″次激光焦点相对预设剥离面的偏移距离，n″为≥2的整数。

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