西安电子科技大学赵胜雷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117202500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311047282.6，技术领域涉及：H05K1/18；该发明授权用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构是由赵胜雷;孙雪晶;于龙洋;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构，涉及功率变换器技术领域，包括：印刷电路板；位于印刷电路板一侧的第一GaN器件和第二GaN器件；水平嵌入于印刷电路板的解耦电容；其中，第一GaN器件、第二GaN器件与解耦电容形成功率环路，这样可以有效缩减功率环路的面积，进而通过减小自感达到减小寄生电感的目的。
本发明授权用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构在权利要求书中公布了：1.一种用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构，其特征在于，包括： 印刷电路板； 位于所述印刷电路板一侧的第一GaN器件和第二GaN器件； 水平嵌入于印刷电路板的解耦电容； 其中，所述第一GaN器件、所述第二GaN器件与所述解耦电容形成功率环路； 所述水平嵌入式电容PCB布局结构包括多个沿第一方向间隔排布的解耦电容，所述第一GaN器件与所述第二GaN器件均为栅格阵列LGA封装，所述第一GaN器件靠近所述印刷电路板的一侧包括多个沿第一方向相间排布的第一源极和第一漏极，所述第二GaN器件靠近所述印刷电路板的一侧包括多个沿第一方向相间排布的第二源极和第二漏极，所述第一GaN器件的第一漏极与第二GaN器件的第二源极在第一方向上对应设置，所述第一GaN器件的第一源极与第二GaN器件的第二漏极在第一方向上对应设置，各所述解耦电容分别位于所述第一GaN器件的第一源极与所述第二GaN器件的第二漏极之间；印刷电路板的厚度方向与所述第一方向形成的平面垂直于印刷电路板所在的平面。
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