湖北九峰山实验室刘洋博文获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117305979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311309773.3，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法是由刘洋博文;沈晓安;杨冰;黄俊;刘兴林设计研发完成，并于2023-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：制备具有活性层的氧化铝衬底；键合预清洁的硅基衬底和该氧化铝衬底；剥离氧化铝活性层得到复合衬底；在该复合衬底上沉积二维材料得到基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料。通过该方法可以直接在硅基衬底上外延生长二维半导体材料，避免了二维半导体材料的转移过程，既降低了二维半导体材料的生产成本，又提高了其质量。
本发明授权一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备具有活性层的氧化铝衬底：通过高能离子注入技术对氧化铝表面进行活化，使氧化铝表面形成一层易于剥离的活性层；所述氧化铝的晶型为单晶，表面晶面为C面；所述高能离子注入技术采用氢离子和氦离子注入，氢离子的注入能量为60keV，注入剂量为1×1017cm-2，氦离子的注入能量为75keV，注入剂量为3.5×1017cm-2； S2、键合硅基衬底和氧化铝衬底：将步骤S1中制备的具有活性层的氧化铝衬底与预先清洁的硅基衬底进行键合；所述键合采用表面活化键合技术或聚合物晶圆键合技术； S3、剥离氧化铝活性层：采用热处理的方式将所述具有活性层的氧化铝衬底沿所述活性层剥离，然后经过退火、抛光，得到氧化铝和硅基键合的复合衬底； S4、制备单晶二维材料：在所述复合衬底表面沉积二维材料，得到基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片。
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