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山东大学罗毅获国家专利权

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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种钆镓石榴石单晶的合成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118028979B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410389760.X,技术领域涉及:C30B29/28;该发明授权一种钆镓石榴石单晶的合成方法是由罗毅;陈菲菲;赵显设计研发完成,并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

一种钆镓石榴石单晶的合成方法在说明书摘要公布了:本发明涉及晶体合成技术领域,公开了一种钆镓石榴石单晶的合成方法,包括以下步骤:S1、将原料均匀混合后装入模具,采用压料机将原料粉末初压成块后脱模;S2、将压好的原料块放入马弗炉中预烧结,随炉冷却;S3、将冷却后的多晶原料粉碎,再次采用模压成型,放入马弗炉中烧结,重复1~3次,冷却后装入坩埚,振动坩埚使多晶原料均匀填充;S4、将盛放多晶原料的坩埚放入水平晶体生长炉的导轨中,抽真空后充入惰性气体,控制坩埚依次通过水平晶体生长炉炉管的熔化区、晶体生长区和冷却区,完成晶体生长。本发明采用水平法生长钆镓石榴石单晶,能实现连续生长,得到的晶体利用率高,应力均匀。

本发明授权一种钆镓石榴石单晶的合成方法在权利要求书中公布了:1.一种钆镓石榴石单晶的合成方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、按照分子式Gd3Ga5O12化学计量比称取原料Gd2O3和Ga2O3,将原料均匀混合后装入模具,采用压料机将原料粉末初压成块后脱模; S2、将压好的原料块放入马弗炉中,于900~1100℃下预烧结12~20h,随炉冷却; S3、将冷却后的多晶原料粉碎,再次采用模压成型,放入马弗炉中烧结,冷却后装入坩埚,振动坩埚使多晶原料均匀填充; S4、将盛放多晶原料的坩埚放入水平晶体生长炉的导轨中,抽真空至1.0×10-4Pa后充入惰性气体,控制坩埚依次通过水平晶体生长炉炉管的熔化区、晶体生长区和冷却区,所述熔化区与坩埚长度比为1:2~4,熔化区温度为1900~2000℃,所述晶体生长区的温度梯度为3.5~4.5℃mm,晶体生长区的温度为1650~1750℃,坩埚的移动速度为0.8~1.2mmh,所述冷却区的温度梯度为5~6℃mm,使晶体冷却至200℃以下,完成晶体生长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人山东大学,其通讯地址为:250000 山东省济南市山大南路27号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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