台湾积体电路制造股份有限公司庄圣颉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223053372U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421438607.3，技术领域涉及：H10F39/12；该实用新型半导体装置是由庄圣颉;孔书砚;曹淳凯;刘铭棋设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置包括形成在基底中的多个光电二极管掺杂区以及形成在基底中的深沟槽隔离DTI结构，其中DTI结构分隔光电二极管掺杂区，且DTI结构包括其中界定气隙的第一填充材料。第一填充材料包括顶部、侧壁及底部。所述半导体装置还包括围绕且接触第一填充材料的顶部、侧壁及底部的第一隔离层。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 多个光电二极管掺杂区，形成在基底中；以及 深沟槽隔离结构，形成在所述基底中，其中所述深沟槽隔离结构将所述多个光电二极管掺杂区分隔开，且所述深沟槽隔离结构包括： 第一填充材料，所述第一填充材料中界定有气隙，所述第一填充材料包括顶部、侧壁及底部；以及 第一隔离层，围绕且接触所述第一填充材料的所述顶部、所述侧壁及所述底部。
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