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龙图腾网获悉楚赟精工科技(上海)有限公司申请的专利外延膜生长状态检测方法和检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410907219.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权外延膜生长状态检测方法和检测系统是由左志耀;马法君;姚忻宏设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延膜生长状态检测方法和检测系统在说明书摘要公布了：本申请提供外延膜生长状态检测方法以及执行外延膜生长状态检测方法的检测系统。本申请的外延膜生长状态检测方法在执行外延工艺的过程中，通过控制光学检测装置向外延膜出射特定波长范围光进行光学检测，并获取以及向主控装置发送外延膜的光强信息，并通过主控装置根据外延膜的光强信息、特定波长范围和主控装置预存的晶型对应关系数据进行计算，能够在外延膜生长过程中实现对膜表面晶型情况的实时监测评估。

本发明授权外延膜生长状态检测方法和检测系统在权利要求书中公布了：1.一种外延膜生长状态检测方法，其特征在于，至少包括以下步骤： S0：提供半导体生长设备、光学检测装置和主控装置，所述半导体生长设备内承载有基片，所述光学检测装置设置于所述半导体生长设备，所述主控装置与所述光学检测装置通信连接，所述主控装置预存有与半导体材料的反射率、厚度、相位差、吸收系数和折射率的经验反射率对应关系数据、半导体材料在不同波长下的晶型与对应吸收系数的晶型对应关系数据，且各所述吸收系数不同； S1：控制所述半导体生长设备对所述基片进行外延工艺，使所述基片的露出表面形成由所述半导体材料组成，且组成材料与所述基片不同的外延膜； S2：执行所述外延工艺的过程中，控制所述光学检测装置向所述外延膜出射特定波长范围光进行光学检测，并获取以及向所述主控装置发送所述外延膜的光强信息； S3：所述主控装置根据所述外延膜的光强信息、所述特定波长和所述晶型对应关系数据进行计算，步骤包括： S31：所述主控装置根据所述外延膜的光强信息得到所述外延膜的实时反射率与生长时间之间的实时反射率对应关系数据； S32：所述主控装置根据所述实时反射率对应关系数据和所述经验反射率对应关系数据进行计算得到所述外延膜的实时吸收系数，并根据所述实时吸收系数、所述特定波长和所述晶型对应关系数据获得所述外延膜表面的实时晶型信息。

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