浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;滁州爱旭太阳能科技有限公司邱开富获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;滁州爱旭太阳能科技有限公司申请的专利太阳能电池及光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223053363U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421671820.9，技术领域涉及：H10F10/14；该实用新型太阳能电池及光伏组件是由邱开富;王永谦;陈刚设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本实用新型适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括硅基底和膜层结构，硅基底的正面和或背面设置有膜层结构，膜层结构包括由硅基底向远离硅基底方向依次分布的钝化层和至少一层阻挡层，钝化层和至少一层阻挡层均包括由硅基底向远离硅基底方向依次分布的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，钝化层设置于硅基底的整个背面和或整个正面，阻挡层设置于钝化层远离硅基底的一侧面的全部区域。通过将钝化层和至少一层阻挡层均设置为包括隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的结构，利用至少一层阻挡层的阻挡作用，使得金属浆料至少不烧穿钝化层，而且钝化层的厚度也不需要增大，能有效控制掺杂多晶硅层光吸收，兼顾钝化性能和光学性能。
本实用新型太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底和膜层结构； 所述硅基底的正面和或背面设置有所述膜层结构； 所述膜层结构包括由所述硅基底向远离所述硅基底方向依次分布的钝化层和至少一层阻挡层，所述钝化层和至少一层所述阻挡层均包括由所述硅基底向远离所述硅基底方向依次分布的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层； 所述钝化层设置于所述硅基底的整个背面和或整个正面，所述阻挡层设置于所述钝化层远离所述硅基底的一侧面的全部区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;滁州爱旭太阳能科技有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号