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龙图腾网获悉湖北第二师范学院申请的专利利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223052148U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421709211.8，技术领域涉及：H01L23/522；该实用新型利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构是由刘吉康;李莎;李杰;刘秀峰;蔡新添;王怀兴;王筠;马晓萌;万振武设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构在说明书摘要公布了：一种利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构，包括晶圆级CIS芯片和第二类晶圆级芯片，利用HybridBonding技术将晶圆级CIS芯片和第二类晶圆级芯片集成在一起。1利用HybridBonding键合技术进行键合，该技术能够实现更高密度触点连接在1×1cm的芯片内，能够制作出超过一百万的触点和更小接点间距连接间距可以微缩到1微米以下。2将CIS芯片与其他种类芯片集成，实现高性能、低功耗、小型化、异质工艺集成、低成本的系统集成电子产品的制备。3整个封装流程为晶圆级封装，封装效率高、成本低、产能大。

本实用新型利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构在权利要求书中公布了：1.一种利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构，其特征在于：包括晶圆级CIS芯片和第二类晶圆级芯片；所述晶圆级CIS芯片包括CIS芯片上表面和CIS芯片下表面，CIS芯片上表面设有感光区和导电结构； 所述CIS芯片上表面依次设有具有高透光特性的粘贴膜层和玻璃层； 所述晶圆级CIS芯片背面进行减薄，并形成非导电层； 所述非导电层上与晶圆级CIS芯片导电结构对应位置处设置导电通孔结构； 所述导电通孔结构处设有导电结构； 所述第二类晶圆级芯片包括芯片上表面和芯片下表面，芯片上表面设有芯片导电结构； 所述第二类晶圆级芯片上表面上粘贴保护膜层； 所述第二类晶圆级芯片背面进行减薄，并形成非导电层； 所述非导电层与第二类晶圆级芯片导电结构对应位置处形成导电通孔结构，所述导电通孔结构贯穿非导电层和第二类晶圆级芯片；所述晶圆级芯片上形成的导电通孔结构所处位置与芯片导电结构所处位置错开； 所述导电通孔结构处形成导电结构； 具有导电结构的晶圆级CIS芯片与具有导电结构的第二类晶圆级芯片通过混合键合技术键合形成键合结构，所述键合结构包括两片晶圆键合后形成的非导电层和两片晶圆键合后形成的导电结构； 拆除所述键合结构经两片晶圆键合后得到的晶圆上表面膜层，并形成第一层绝缘层和导电通孔结构； 所述第一层绝缘层和导电通孔结构上设置第一层金属重布线层； 所述第一层金属重布线层上设置第二层绝缘层和导电通孔结构； 所述第二层绝缘层和导电通孔结构上设置第二层金属重布线层； 所述第二层金属重布线层上完成植球，植球为锡球结构。

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