捷捷微电(南通)科技有限公司郭成获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种沟槽氧化层结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223053360U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421842640.2，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种沟槽氧化层结构及半导体器件是由郭成;周宗凌;肖云龙;杨智杰;顾建伟设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽氧化层结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种沟槽氧化层结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该沟槽氧化层结构包括：外延片；位于外延层外的沟槽；填充于沟槽内的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及氧化层，氧化层包括第一氧化层、第二氧化层与第三氧化层。第一多晶硅层位于第二多晶硅层的下方。第一氧化层环绕设置在第一多晶硅层外。第二氧化层环绕设置在第二多晶硅层外。第三氧化层设置在第一多晶硅层、第二多晶硅层之间。其中，第三氧化层包括至少一个叠层结构；各叠层结构从上到下依次交叠，且叠层结构中相邻两层间的材料不同。本实用新型通过调整第三氧化层的结构和或厚度，控制和最小化栅源漏电，进而确保屏蔽栅沟槽器件的性能、可靠性和能效。
本实用新型一种沟槽氧化层结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽氧化层结构，其特征在于，所述沟槽氧化层结构包括： 外延片； 位于外延层外的沟槽； 填充于沟槽内的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及氧化层，所述氧化层包括第一氧化层、第二氧化层与第三氧化层；所述第一多晶硅层位于所述第二多晶硅层的下方；所述第一氧化层环绕设置在所述第一多晶硅层外；所述第二氧化层环绕设置在所述第二多晶硅层外；所述第三氧化层设置在所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层之间，以通过所述第三氧化层隔离所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层； 其中，所述第三氧化层包括至少一个叠层结构；各所述叠层结构从上到下依次交叠设置，以增加所述第三氧化层的厚度；且所述叠层结构中相邻两层间的材料不同。
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