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龙图腾网获悉清华大学申请的专利功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118584284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411059810.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质是由刘佳鹏;吴锦鹏;曾嵘;潘健泓;任春频;兰东升;李林东;黄琦欢;刘小元;孟令尧设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开属于功率半导体技术领域，涉及功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质，所述回路包括：电流测试部分、电压测试部分和待测器件；所述电流测试部分和电压测试部分分别连接于待测器件的两端；所述电流测试部分包括电容C1、电感L和开关T；所述电压测试部分包括电容C2和电阻R3。本公开在器件开通特性测试上实现器件开通前耐受电压与开通后阳极电流上升率解耦控制，为研究功率半导体器件的开通暂态过程及其参数影响规律提供基础，使模拟和复现器件在不同的实际应用工况中开通过程更为简单便捷。

本发明授权功率半导体特性测试回路、方法、系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.功率半导体特性测试回路，其特征在于，包括：电流测试部分、电压测试部分和待测器件； 所述电流测试部分和电压测试部分分别连接于待测器件的两端； 所述电流测试部分包括电容C1、电感L和开关T； 所述电压测试部分包括电容C2和电阻R3； 所述电流测试部分还包括电容C1的预充电电路和放电电路； 所述电容C1的预充电电路和放电电路分别连接于电容C1的两端； 所述电压测试部分还包括电容C2的预充电电路和放电电路； 所述电容C2的预充电电路和放电电路分别连接于电容C2的两端； 所述开关T具有双向阻断电压能力，用于隔绝电流测试部分和电压测试部分的电压，使所述待测器件开通前两端电压为电压测试部分提供的电压，待测器件开通后，通过电流测试部分为待测器件提供通态电流，实现待测器件开通前耐受电压与开通后阳极电流上升率解耦控制； 所述电容C1的预充电电路包括串联的工作电源V1和开关S1； 所述电容C1的放电电路包括串联的电阻R1和开关S2； 所述电容C2的预充电电路包括串联的工作电源V2和开关S3； 所述电容C2的放电电路包括串联的电阻R2和开关S4； 所述开关T的第一端连接于待测器件的第一端，所述开关T的第二端连接于电感L的第一端，所述电感L的第二端连接于电容C1的第一端，所述电容C1的第二端连接于待测器件的第二端； 所述电容C1、电感L、开关T、工作电源V1、开关S1、电阻R1和开关S2组成了电流源部分；所述电容C2、电阻R3、工作电源V2、开关S3、电阻R2和开关S4组成了电压源部分； 电阻R3的阻值远小于待测器件的断态电阻值；待测器件开通后，电容C2通过待测器件和电阻R3放电的电流，远小于电流测试部分提供的电流。

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