重庆芯联微电子有限公司刘隽瀚获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利套刻图形及晶圆获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223051640U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421905602.7，技术领域涉及：G03F7/20；该实用新型套刻图形及晶圆是由刘隽瀚;方震宇设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻图形及晶圆在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种套刻图形及晶圆，套刻图形包括前层套刻图形和当层套刻图形，前层套刻图形和当层套刻图形的形状相同且均呈T字型，前层套刻图形和当层套刻图形均包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分，前层套刻图形的第二部分与当层套刻图形的第二部分在第二方向上相对设置，且前层套刻图形和当层套刻图形在第二方向上的宽度之和小于或者等于20um。T型设计的套刻图形缩减了第二方向的尺寸，套刻图形的宽度能够满足放置在宽度为40um的切割道内，并且在宽度为60um的切割道内能够容纳2组套刻图形组合，提高了IBO测量技术的测量精度，并且解决了窄切割道内放置套刻图形的技术问题，节省了切割道的面积，并减小了半导体器件的尺寸。
本实用新型套刻图形及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种套刻图形，其特征在于，所述套刻图形包括前层套刻图形和当层套刻图形，所述前层套刻图形和所述当层套刻图形的形状相同且均呈T字型，所述前层套刻图形包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分，以及所述当层套刻图形包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；所述前层套刻图形的第二部分与所述当层套刻图形的第二部分在所述第二方向上相对设置，且所述前层套刻图形和所述当层套刻图形在所述第二方向上的宽度之和小于或者等于20um。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆芯联微电子有限公司，其通讯地址为：401332 重庆市沙坪坝区高新区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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