台湾积体电路制造股份有限公司陈昱寰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223052141U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421911466.2,技术领域涉及:H01L23/48;该实用新型半导体装置是由陈昱寰;汤凯驿;许国经设计研发完成,并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:本文提供半导体装置。在一实施例中,一种半导体装置包括埋入第一核心基板中的第一半导体组件、位于第一核心基板的第一侧上的第一再分布层、位于第一核心基板相对于第一侧的第二侧上的第二再分布层、第二再分布层上方的第一树脂膜、埋入第二核心基板中的第二半导体组件、位于第二核心基板的第三侧上且通过第一树脂膜结合至第二再分布层的第三再分布层、位于第二核心基板相对于第三侧的第四侧上的第四再分布层,以及延伸穿过第一再分布层、第一核心基板、第二再分布层、第三再分布层、第二核心基板和第四再分布层的通孔。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包括: 一第一半导体组件,埋入一第一核心基板中; 一第一再分布层,位于该第一核心基板的一第一侧上; 一第二再分布层,位于该第一核心基板相对于该第一侧的一第二侧上; 一第一树脂膜,位于该第二再分布层上方; 一第二半导体组件,埋入一第二核心基板中; 一第三再分布层,位于该第二核心基板的一第三侧上,其中该第三再分布层通过该第一树脂膜结合至该第二再分布层; 一第四再分布层,位于该第二核心基板相对于该第三侧的一第四侧上;以及 一通孔,延伸穿过该第一再分布层、该第一核心基板、该第二再分布层、该第三再分布层、该第二核心基板和该第四再分布层。
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