南京普天大唐信息电子有限公司严友权获国家专利权
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龙图腾网获悉南京普天大唐信息电子有限公司申请的专利一种双重充电控制电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223052778U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421957678.4,技术领域涉及:H02J7/00;该实用新型一种双重充电控制电路是由严友权;闻亚;唐漪荞设计研发完成,并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双重充电控制电路在说明书摘要公布了:本申请提供一种双重充电控制电路,包括MOS驱动模块和MOS管模块。MOS驱动模块负责驱动MOS驱动管的开关,MOS管模块负责充电电路主回路的开关,MOS驱动模块模块包括:电阻R21、电阻R29、电阻R32、电阻R30、电阻R27、电阻R31、NPN三极管Q4、PNP三极管Q3、二极管D8,电阻R21串接在MCU管脚和PNP三极管Q3的基级,PNP三极管Q3的基级接VCC,PNP三极管Q3的发射极接电阻R29的一端,电阻R29的另一端接电阻R30的一端、电阻R32的一端、NPN三极管Q4的基级;电阻R32的另一端接太阳板的负极,电阻R30的另一端接NPN三极管Q4的集电极,电阻R27串接在15V和NPN三极管Q4的发射极之间,本实用新型有效降低了太阳能充电的软件控制带来的风险,提高了充电可靠性,减小了蓄电池过充的风险。
本实用新型一种双重充电控制电路在权利要求书中公布了:1.一种双重充电控制电路,其特征在于,包括:包括MOS驱动模块和MOS管模块; 所述MOS驱动模块负责驱动MOS驱动管的开关,所述MOS管模块负责充电电路主回路的开关; 所述MOS驱动模块模块包括:电阻R21、电阻R29、电阻R32、电阻R30、电阻R27、电阻R31、NPN三极管Q4、PNP三极管Q3、二极管D8;所述电阻R21串接在MCU管脚和PNP三极管Q3的基级,所述PNP三极管Q3的基级接VCC,所述PNP三极管Q3的发射极接电阻R29的一端,所述电阻R29的另一端接电阻R30的一端、电阻R32的一端、NPN三极管Q4的基级;所述电阻R32的另一端接太阳板的负极,所述电阻R30的另一端接NPN三极管Q4的集电极,所述电阻R27串接在15V和NPN三极管Q4的发射极之间,所述电阻R31串接在NPN三极管Q4的发射集和KEY1之间,所述二极管D8的正极接NPN三极管Q4的集电极,所述NPN三极管D4的负极接KEY1。
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