北京燕东微电子科技有限公司宋紫禁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利一种单片集成的硅光芯片和光电集成系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223051536U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422115264.3，技术领域涉及：G02B6/12；该实用新型一种单片集成的硅光芯片和光电集成系统是由宋紫禁;王乾;王雪;冯兴甲设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单片集成的硅光芯片和光电集成系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种单片集成的硅光芯片和光电集成系统，涉及光电集成技术领域，包括硅光无源器件和光源，光源位于硅光无源器件沿第一方向的一侧；硅光无源器件内设置有端面耦合器和耦合凹槽，耦合凹槽与端面耦合器沿第一方向并排，沿垂直于第一方向的层叠方向上、耦合凹槽的顶面与端面耦合器的顶面共面，且耦合凹槽的底面与端面耦合器的底面共面，光源的发光部嵌合于耦合凹槽内，以使发光部和端面耦合器耦合。实现光源与端面耦合器的精确对齐，光源和硅光无源器件耦合时，发光部发射的光信号能准确地耦合进端面耦合器，有效提升光源和硅光无源器件的耦合精度，结构更加紧凑，无需对光源和硅光无源器件进行封装，适合大规模光电集成使用。
本实用新型一种单片集成的硅光芯片和光电集成系统在权利要求书中公布了：1.一种单片集成的硅光芯片，其特征在于，包括：硅光无源器件10A和光源20，所述光源20位于所述硅光无源器件10A沿第一方向F1的一侧；所述硅光无源器件10A内设置有端面耦合器13a和耦合凹槽13c，所述耦合凹槽13c与所述端面耦合器13a沿所述第一方向F1并排设置，沿层叠方向D上、所述耦合凹槽13c的顶面与所述端面耦合器13a的顶面共面，且所述耦合凹槽13c的底面与所述端面耦合器13a的底面共面，所述光源20的发光部21嵌合于所述耦合凹槽13c内，以使所述发光部21和所述端面耦合器13a耦合，所述第一方向F1和所述层叠方向D垂直。
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