廖玉彬获国家专利权
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龙图腾网获悉廖玉彬申请的专利一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路及芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223051669U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422137680.3，技术领域涉及：G05F1/567；该实用新型一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路及芯片是由廖玉彬设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路及芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路，旨在提高基准电流的工艺抗干扰性和温度稳定性。电路包括基准电路、运算放大器、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和第二电阻。通过基准电路提供稳定的基准电压，运算放大器调节第一MOS管的栅极电压，以控制电流的精度。同时，第二电阻与第一电阻为相同类型，以抵消工艺漂移引起的电阻变化影响，进一步稳定输出电流。该电路能够集成于模数混合芯片中，节省成本并提高整体电路性能。
本实用新型一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路，其特征在于，包括基准电路、运算放大器、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和第二电阻； 所述基准电路的输出端连接运算放大器的反相输入端提供基准电压； 所述运算放大器的同相输入端连接第一MOS管的漏极，所述运算放大器的输出端连接第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极； 所述第一MOS管的源级连接第二电阻的一端，第一MOS管的漏极连接第一电阻的一端； 所述第二电阻的另一端连接电源端； 所述第一电阻的另一端接地； 所述第二MOS管的源级连接电源端，第二MOS管的漏极作为输出端提供基准电流。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人廖玉彬，其通讯地址为：404500 重庆市云阳县青龙街道民德路648号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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