湖南德智新材料股份有限公司魏巨擘获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种碳化硅表面处理方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119118706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411215497.9，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权一种碳化硅表面处理方法及其应用是由魏巨擘;余盛杰;黄凌云;万强;廖家豪;柴攀设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅表面处理方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅材料表面处理方法及应用，本发明的碳化硅材料表面处理方法，包括如下步骤：将具有待处理表面的碳化硅材料放置在真空腔中；对所述碳化硅材料进行水氧氧化处理，形成氧化层；对所述氧化层进行酸洗处理和超声清洗处理。本发明提供了一种碳化硅材料表面处理方法以及所述碳化硅材料表面处理方法在晶圆刻蚀领域中的应用。本发明的碳化硅材料表面处理方法能够对碳化硅材料在加工过程中表面产生的应力损伤层进行消除，并且能够使所述碳化硅材料的表面平整度和光洁度得到显著提高，延长碳化硅材料的使用寿命，满足辅助芯片生产的要求，提供给晶圆被均匀刻蚀的环境，有效提升晶圆刻蚀的效果。
本发明授权一种碳化硅表面处理方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤： 将具有待处理表面的碳化硅材料放置在真空腔中； 对所述碳化硅材料进行水氧氧化处理，形成氧化层； 对所述氧化层进行酸洗处理和超声清洗处理； 其中，所述对所述碳化硅材料进行水氧氧化处理，包括使用第一气体对所述碳化硅材料表面进行第一加热处理； 所述第一气体包括水蒸气和氧气，所述水蒸气与所述氧气的气体流量配比范围为5：1~10：1； 所述第一加热处理的温度控制在1200℃~1500℃，维持1h~5h； 所述对所述碳化硅材料进行水氧氧化处理的过程中，所述真空腔中的压力范围为60kpa~120kpa。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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